公开(公告)号：CN110890118B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。

公开(公告)号：CN110890118A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910393323.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成宪 ,  金正烈 ,  金铁雄 ,  金铉普 ,  林周延

IPC: G11C11/403 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/409

Abstract: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。