包括聚焦环的半导体基底处理设备

    公开(公告)号:CN111834189B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202010074502.4

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括:壳体,包围工艺室;等离子体源单元,连接到壳体,并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环,喷头包括安装在固定环上的上电极,并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔;静电吸盘,连接到壳体并包括下电极,并且用于使半导体基底安装在其上;以及环单元,安装在静电吸盘的边缘部分上,并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面,聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面,覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

    用于执行自适应中断控制的计算机系统及其控制中断的方法

    公开(公告)号:CN107402894B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201710298925.2

    申请日:2017-04-27

    Abstract: 一种计算机系统包括主机和存储设备。主机提供输入/输出请求(IO请求)。存储设备从主机接收IO请求,并在完成IO请求之后向主机发送通知输入/输出完成(IO完成)的中断。主机使用延迟IO的数量来调整存储设备所生成的中断的数量。计算机系统可以基于CPU的负载状态或延迟IO的数量来自适应地控制存储设备的中断生成。可以调整存储设备的中断生成以获得CPU增益,同时不损失计算机系统的性能或处理时间。

    EUV产生装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110113855B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201811373497.6

    申请日:2018-11-19

    Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)产生装置。该EUV产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体;以及气体供应通道,供应等离子体反应气体。导光通道包括:入射部分,接收入射光;等离子体反应部分,在第一方向上从入射部分延伸,以由于入射光与等离子体反应气体之间的相互作用而产生EUV光;以及发射部分,在第一方向上从等离子体反应部分延伸,以在第一方向上发射EUV光。气体供应通道可以在气体单元壳体的侧面处连接到等离子体反应部分,并且可以相对于第一方向以锐角倾斜。

    包括聚焦环的半导体基底处理设备

    公开(公告)号:CN111834189A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010074502.4

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括:壳体,包围工艺室;等离子体源单元,连接到壳体,并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环,喷头包括安装在固定环上的上电极,并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔;静电吸盘,连接到壳体并包括下电极,并且用于使半导体基底安装在其上;以及环单元,安装在静电吸盘的边缘部分上,并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面,聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面,覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

    EUV产生装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110113855A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201811373497.6

    申请日:2018-11-19

    Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)产生装置。该EUV产生装置包括:气体单元壳体,在第一方向上延伸;导光通道,在第一方向上延伸穿过气体单元壳体;以及气体供应通道,供应等离子体反应气体。导光通道包括:入射部分,接收入射光;等离子体反应部分,在第一方向上从入射部分延伸,以由于入射光与等离子体反应气体之间的相互作用而产生EUV光;以及发射部分,在第一方向上从等离子体反应部分延伸,以在第一方向上发射EUV光。气体供应通道可以在气体单元壳体的侧面处连接到等离子体反应部分,并且可以相对于第一方向以锐角倾斜。

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