可变电阻存储器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113903765A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202110556950.2

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 一种可变电阻存储器件包括:第一导电线;布置在第一导电线上的第二导电线;在第一导电线和第二导电线之间的交叉处的第一单元结构,每个第一单元结构包括开关图案和可变电阻图案;第一掩埋结构,填充第一导电线之间的第一沟槽;以及第二掩埋结构,填充第一单元结构之间的第二沟槽。每个第一掩埋结构包括覆盖对应的第一沟槽的侧壁的第一衬垫图案、设置在第一衬垫图案上以及在所述对应的第一沟槽中的第一填充图案、以及密封所述对应的第一沟槽的第一覆盖图案。第二掩埋结构在所述多个第二沟槽中延伸,并与第一掩埋结构的第一覆盖图案连接。

    图像传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110993629B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN201910706919.5

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括:基板,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;在基板中的光电转换层;以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括:电容器结构,包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案;第一布线,在电容器结构上并连接到第二导电图案;以及第二布线,连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。

    图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN111009538A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910927006.6

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 一种图像传感器包括:半导体衬底,其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面;在半导体衬底中的光电转换层;在半导体衬底的第一表面上的晶体管;在晶体管上的第一层间绝缘层;在第一层间绝缘层上的第一下焊盘电极和第二下焊盘电极,该第二下焊盘电极与第一下焊盘电极间隔开;在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层;在模制绝缘层中的第一下电极和第二下电极;在第一下电极和第二下电极上的介电层;在介电层上的上电极;以及连接到上电极并包括不同于第一下焊盘电极和第二下焊盘电极的导电材料的上焊盘电极。第一下电极在第一下焊盘电极上,并且第二下电极在第二下焊盘电极上。

    图像传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110993629A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201910706919.5

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 提供了一种图像传感器。一种图像传感器可以包括:基板,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;在基板中的光电转换层;以及在基板的第一表面上的下电容器连接图案。基板的第二表面可以被配置为接收入射光。下电容器连接图案可以包括电容器区域和从电容器区域突出的着陆区域。图像传感器还可以包括:电容器结构,包括顺序地堆叠在电容器区域上的第一导电图案、电介质图案和第二导电图案;第一布线,在电容器结构上并连接到第二导电图案;以及第二布线,连接到着陆区域。第一导电图案可以连接到下电容器连接图案。第一布线的面向基板的表面和第二线的面向基板的表面可以是共面的。

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