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公开(公告)号：CN114944394A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111304824.4
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括第一区域和第二区域；第一层间绝缘层，位于第二区域上；盖层，设置在第一层间绝缘层上，盖层的上表面包括第一沟槽；导电图案，在盖层上间隔开，导电图案的侧表面与第一沟槽的内侧表面对齐；以及外围分离图案，设置在第一沟槽中以覆盖导电图案的侧表面。外围分离图案在导电图案的侧表面上具有第一厚度，并且在第一沟槽的下表面上具有大于或等于第一厚度的第二厚度。
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