公开(公告)号：CN118221695A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311753450.3

申请日：2023-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰溱 ,  金亨柱 ,  房非非 ,  尹晟荣 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  林主亨 ,  洪慧林 ,  南太规 ,  朴敬培

IPC: C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D517/14 ,  C07F7/30 ,  C07F7/08 ,  C07D495/10 ,  C07D495/22 ,  C07D519/00 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K30/60 ,  H10K39/34

Abstract: 提供化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1A或1B表示，所述光电器件、光吸收传感器、和电子设备包括所述混合物。化学式1A和1B的细节如详细的说明书中所描述的。[化学式1A]#imgabs0#[化学式1B]#imgabs1#

公开(公告)号：CN118175910A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311671984.1

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰溱 ,  金亨柱 ,  南太规 ,  朴敬培 ,  房非非 ,  尹晟荣 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  洪慧林

IPC: H10K85/60 ,  H10K30/20

Abstract: 提供光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。所述光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，其中所述光吸收层配置成吸收红色波长谱、绿色波长谱、蓝色波长谱、红外波长谱、或其任意组合的光，所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，并且所述n型半导体包括由化学式1表示的化合物。对于化学式1的细节如详细的说明书中所描述的。

公开(公告)号：CN112645944B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011077898.4

申请日：2020-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰溱 ,  朴正一 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  林允熙 ,  崔容硕 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  H10K30/60 ,  H10K39/32 ,  H10K85/60

Abstract: 公开了化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物具有化学式1。在化学式1中，各基团和参数的定义如具体实施方式中所描述的。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN117586183A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311043258.5

申请日：2023-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林允熙 ,  房非非 ,  李贞仁 ,  洪慧林 ,  朴敬培 ,  徐辉贞

IPC: C07D219/02 ,  H10K30/60 ,  H10K39/34 ,  C07D401/10 ,  C07D409/10 ,  C07D421/10 ,  H10K85/60

Abstract: 提供化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备，所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各取代基的定义如说明书中所描述的。[化学式1]

公开(公告)号：CN118546146A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410209397.9

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰溱 ,  金亨柱 ,  南太规 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  涩谷宽政 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  洪慧林

IPC: C07D491/048 ,  H10K30/60 ,  H10K39/34 ,  H10K39/32 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  C07D513/04 ,  C07D409/14 ,  C07D421/14 ,  C07D491/16 ,  C07D495/16 ,  H10K85/60 ,  G01N21/27

Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1至3的任一个表示，并且具有大于或等于约1.55分子/nm3的分子堆积密度。在化学式1至3中，各取代基的定义如说明书中所描述的。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117500331A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310929614.7

申请日：2023-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨柱 ,  许哲准 ,  朴敬培 ,  房非非 ,  徐辉贞 ,  涩谷宽政 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC: H10K59/60 ,  H10K59/12 ,  H10K101/40

Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。

公开(公告)号：CN109694374B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H10K85/40 ,  H10K85/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN115677558A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210904754.4

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪慧林 ,  林宣晶 ,  许哲准 ,  朴敬培 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱

IPC: C07D209/86 ,  C07F5/02 ,  H10K59/60

Abstract: 公开化合物、传感器、嵌入有传感器的显示面板、和电子设备。所述化合物可应用于传感器以改善其电性质并且由化学式1表示，在化学式1中，各取代基与详述的说明书中所定义的相同。[化学式1]。

公开(公告)号：CN114106030A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110993819.2

申请日：2021-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨柱 ,  洪慧林 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  林允熙 ,  崔泰溱

IPC: C07F7/08 ,  H01L27/30

Abstract: 用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备，所述用于光电器件的组合物包括由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物，在化学式1中，各取代基与详细描述中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111952451A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010391526.2

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  朴敬培 ,  朴性俊 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  白铁 ,  申智琇 ,  陈勇完 ,  洪慧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 提供了光电转换器件、有机传感器和电子装置。一种光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机光电转换层、以及在第一电极与有机光电转换层之间的电荷辅助层。有机光电转换层被配置为吸收入射光的波长谱的至少一部分中的光并将所吸收的光转换成电信号。电荷辅助层包括金属和氧化物。该氧化物可以是排除硅氧化物的氧化物材料使得电荷辅助层不包括硅氧化物。