公开(公告)号：CN117592419A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310709880.9

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀宾 ,  田俊秀 ,  姜在贤 ,  金柄武 ,  全众源

IPC: G06F30/392

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：利用其中记录有设计规则的设计规则手册(DRM)设计半导体器件布局；以及对利用所设计的半导体器件布局制造的半导体器件执行包括至少一种栅极结构故障的故障的故障评估。所述方法还包括：通过基于所述故障评估的结果更新记录于所述DRM的所述设计规则，来更新所述DRM；利用更新后的DRM重新设计所述半导体器件布局；以及利用重新设计的所述半导体器件布局制造所述半导体器件。

公开(公告)号：CN116995076A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310472914.7

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  严命允 ,  李留利 ,  林善美 ,  田俊秀

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：元件隔离结构，具有彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第一鳍形图案；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第二鳍形图案；在第一鳍形图案上的第一栅电极；在第一和第二鳍形图案上并在第一栅电极和元件隔离结构之间延伸的第一源极/漏极接触；以及在第一源极/漏极接触上并连接到第一源极/漏极接触的布线结构，其中第一源极/漏极接触包括与第一和第二鳍形图案交叉的下接触区、从下接触区突出的上接触区、以及虚设接触区，布线结构接触上接触区而不接触虚设接触区。

公开(公告)号：CN115249667A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210349868.7

申请日：2022-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田俊秀 ,  金秀宾 ,  金柄武

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括主芯片区域；保护环，围绕主芯片区域；防潮环，围绕保护环；电极结构，在主芯片区域中与半导体基底接触；以及至少一个金属图案结构，从电极结构延伸到防潮环。所述至少一个金属图案结构是将防潮环接地的连接线。