公开(公告)号：CN1604212A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410092149.3

申请日：2004-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  金成栋 ,  丁柱焕 ,  闵桐基 ,  朴弘植 ,  白庚录 ,  朴哲民 ,  金鈗锡

IPC: G11B9/02 ,  G11B11/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B13/00 ,  G11B2005/0021

Abstract: 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。

公开(公告)号：CN1770456A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510092119.7

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  丁柱焕 ,  高亨守 ,  朴弘植 ,  闵桐基 ,  金恩植 ,  朴哲民 ,  金成栋 ,  白庚录

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11C11/22

Abstract: 提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。

公开(公告)号：CN1767025A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510102838.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高亨守 ,  丁柱焕 ,  洪承范 ,  朴弘植 ,  朴哲民 ,  白庚录

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。

公开(公告)号：CN1747071A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510092417.6

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  白庚录 ,  丁柱焕 ,  高亨守 ,  朴哲民 ,  洪承范

IPC: G12B21/02 ,  H01L21/00 ,  G11B13/08

CPC classification number: G11B9/1409 ,  G01Q60/30 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/878 ,  Y10S977/879

Abstract: 提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。

公开(公告)号：CN1747071B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200510092417.6

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  白庚录 ,  丁柱焕 ,  高亨守 ,  朴哲民 ,  洪承范

IPC: G12B21/02 ,  G12B21/00 ,  G11B13/08

CPC classification number: G11B9/1409 ,  G01Q60/30 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/878 ,  Y10S977/879

Abstract: 本发明提供了一种具有电阻尖端的半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。

公开(公告)号：CN1767025B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200510102838.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高亨守 ,  丁柱焕 ,  洪承范 ,  朴弘植 ,  朴哲民 ,  白庚录

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。

公开(公告)号：CN1604212B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410092149.3

申请日：2004-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  金成栋 ,  丁柱焕 ,  闵桐基 ,  朴弘植 ,  白庚录 ,  朴哲民 ,  金鈗锡

IPC: G11B9/02 ,  G11B11/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B13/00 ,  G11B2005/0021

Abstract: 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。