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发明公开
集成电路装置审中-实审

公开(公告)号：CN113990879A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110570456.1

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄昌善 , 金己焕 , 石韩率 , 林钟欣 , 张起硕

IPC: H01L27/11563 , H01L27/11578 , H01L27/1157

Abstract: 公开了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括位于基底上的非易失性存储器单元的垂直堆叠件，该垂直堆叠件被构造为存储器单元的垂直NAND串。非易失性存储器单元的这种垂直堆叠件包括通过对应的电绝缘层彼此间隔开的多个栅极图案。虚设模制结构也设置在基底上。虚设模制结构包括具有通过对应的电绝缘层彼此间隔开的牺牲层的垂直堆叠件。设置了绝缘图案，绝缘图案填充具有牺牲层的垂直堆叠件中的牺牲层中的第一牺牲层的凹陷形状的凹进。该绝缘图案具有与所述牺牲层中的第一牺牲层的上表面共面的上表面。

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