公开(公告)号：CN112925740B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202011399390.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铁雄 ,  金正烈 ,  柳成宪 ,  高玄珍 ,  金宇镒 ,  沈铉树

IPC: G06F15/78

Abstract: 在包括共用数据总线以传递数据的多个存储器单元的存储器系统中控制裸片上终结(ODT)的方法中，使得多个存储器单元的ODT电路进入初始状态，在对多个存储器单元当中的写入目标存储器单元的写入操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非写入目标存储器单元ODT电路的电阻值设置为第一电阻值，并且在对多个存储器单元当中的读取目标存储器单元的读取操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非读取目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。

公开(公告)号：CN112925740A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011399390.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铁雄 ,  金正烈 ,  柳成宪 ,  高玄珍 ,  金宇镒 ,  沈铉树

IPC: G06F15/78

Abstract: 在包括共用数据总线以传递数据的多个存储器单元的存储器系统中控制裸片上终结(ODT)的方法中，使得多个存储器单元的ODT电路进入初始状态，在对多个存储器单元当中的写入目标存储器单元的写入操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非写入目标存储器单元ODT电路的电阻值设置为第一电阻值，并且在对多个存储器单元当中的读取目标存储器单元的读取操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非读取目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。