公开(公告)号：CN111146186A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910675481.9

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成桓 ,  金志永 ,  金奉秀

IPC: H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括设置在基板上的多个下电极结构以及设置在所述多个下电极结构中的成对的下电极结构之间的支撑图案。半导体器件还包括：电容器电介质层，设置在所述多个下电极结构中的每个的表面和支撑图案的表面上；以及上电极，设置在电容器电介质层上。所述多个下电极结构包括第一下电极和第二下电极，该第二下电极设置在第一下电极上并具有圆筒形状。第一下电极具有柱形。第一下电极包括绝缘芯。绝缘芯设置在第一下电极中。第一下电极的外侧表面和第二下电极的外侧表面是共平面的。

公开(公告)号：CN102074483A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010562711.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成桓 ,  山田悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L28/91 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电极；在栅极电极的侧壁上形成间隔物；以及将掺杂掺入在间隔物的两侧的半导体衬底以形成高掺杂杂质区。间隔物被选择性蚀刻以暴露半导体衬底的一部分，更轻掺杂的杂质区形成在高掺杂杂质区与栅极电极之间的半导体衬底中。

公开(公告)号：CN102074483B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010562711.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成桓 ,  山田悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L28/91 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电极；在栅极电极的侧壁上形成间隔物；以及将掺杂掺入在间隔物的两侧的半导体衬底以形成高掺杂杂质区。间隔物被选择性蚀刻以暴露半导体衬底的一部分，更轻掺杂的杂质区形成在高掺杂杂质区与栅极电极之间的半导体衬底中。

公开(公告)号：CN111146186B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910675481.9

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成桓 ,  金志永 ,  金奉秀

IPC: H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括设置在基板上的多个下电极结构以及设置在所述多个下电极结构中的成对的下电极结构之间的支撑图案。半导体器件还包括：电容器电介质层，设置在所述多个下电极结构中的每个的表面和支撑图案的表面上；以及上电极，设置在电容器电介质层上。所述多个下电极结构包括第一下电极和第二下电极，该第二下电极设置在第一下电极上并具有圆筒形状。第一下电极具有柱形。第一下电极包括绝缘芯。绝缘芯设置在第一下电极中。第一下电极的外侧表面和第二下电极的外侧表面是共平面的。