公开(公告)号：CN1825591A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005014.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任普托 ,  金秀连 ,  孙钟弼 ,  韩公钦

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11898

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：单元区域，其包括多个单位存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域包括用于操作所述多个存储单元的多个外围电路器件以及在伪电路图案区域与至少一个外围电路器件相邻地形成的至少一个操作电容器。

公开(公告)号：CN100587956C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610005014.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任普托 ,  金秀连 ,  孙钟弼 ,  韩公钦

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11898

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：单元区域，其包括多个单位存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域包括用于操作所述多个存储单元的多个外围电路器件以及在伪电路图案区域与至少一个外围电路器件相邻地形成的至少一个操作电容器。