公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。

公开(公告)号：CN119497400A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411081011.7

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  杨承烈 ,  玄昇潭

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开可变电阻存储器件和包括其的电子装置。所述可变电阻存储器件包括：沟道层；设置在所述沟道层上的电阻变化层，所述电阻变化层具有基于施加的电压而变化的电阻特性并且具有第一氧扩散激活能；以及设置在所述沟道层和所述电阻变化层之间的界面层，所述界面层具有比所述电阻变化层的第一氧扩散激活能大的第二氧扩散激活能。

公开(公告)号：CN114824065A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111560133.0

申请日：2021-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  金世润 ,  金裕珉 ,  金度润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎

IPC: H01L45/00 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。

公开(公告)号：CN118265292A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311342424.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇 ,  玄昇潭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN114141815A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110648296.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置以及该存储器件的制造方法，其中该存储器件可以包括：绝缘结构，包括第一表面和在第一方向上从第一表面突出的突起部分；记录材料层，在绝缘结构上并沿着突起部分的突出表面延伸以覆盖突起部分并且延伸到绝缘结构的第一表面上；沟道层，在记录材料层上并沿着记录材料层的表面延伸；栅极绝缘层，在沟道层上；以及栅电极，形成在栅极绝缘层上在面对绝缘结构的第二表面的位置。绝缘结构的第二表面可以是突起部分的突出的上表面。

公开(公告)号：CN114079006A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110930323.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金度润 ,  金裕珉 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。