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公开(公告)号：CN117174136A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310540523.4
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 公开了半导体存储器装置的位线感测放大器和位线感测方法。所述位线感测放大器，包括：差分放大器，被配置为：通过所述位线感测放大器的输入端子从位线接收输入信号，并且将第一信号输出到所述位线感测放大器的第一节点；感测反相器，被配置为：接收第一信号并且将第二信号输出到所述位线感测放大器的第二节点，第二信号由于使第一信号反相而产生；第一开关，被配置为将第二节点电连接到差分放大器的正输入；第二开关，被配置为将第一节点电连接到差分放大器的正输入；以及第三开关，被配置为将第二节点电连接到差分放大器的负输入。
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