多层电子组件及制造多层电子组件的方法

    公开(公告)号:CN116417244A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202210966306.7

    申请日:2022-08-12

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及制造多层电子组件的方法,所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层和多个内电极,所述多个内电极在第一方向上与所述多个介电层交替地设置,其中,在所述主体在所述第一方向和第二方向上的截面中,当所述多个内电极在所述第一方向上彼此叠置的区域被定义为电容形成部时,所述多个内电极包括在其在所述电容形成部中的端部处弯曲的内电极和在其在所述电容形成部中的端部处平坦的内电极。

    多层电子组件及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115394554A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210570835.5

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述电容器组件包括主体,所述主体包括在第一方向上与介电层交替设置的内电极,其中,当内电极在所述第一方向上彼此叠置的区域为电容形成部时,内电极包括在所述电容形成部中在内电极端部处弯曲的内电极和在所述电容形成部中平坦的内电极,并且在所述主体的在第一方向和第二方向上的截面中,(F1+F2)/D1×100小于或等于35,其中,F1是从最上面的端部处弯曲的内电极到最上面的平坦的内电极在所述第一方向上的最大距离,F2是从最下面的端部处弯曲的内电极到最下面的平坦的内电极在所述第一方向上的最大距离,D1是在所述电容形成部的在所述第二方向上的中央处所述电容形成部的在所述第一方向上的尺寸。

    多层电子组件
    8.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116417246A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202210997052.5

    申请日:2022-08-19

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层以及在第一方向上交替设置的第一内电极和第二内电极,其中,所述第一内电极包括多个第一导体部和多个第一断开部,并且所述第一内电极的端部的连通度的平均值为60%或更大。根据本公开的多层电子组件可控制内电极的端部的连通度,从而抑制内电极之间的短路的发生、电容减小或击穿电压降低。

    多层电子组件
    9.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115394555A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210578539.X

    申请日:2022-05-25

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括主体以及外电极,所述主体包括在第一方向上与介电层交替设置的内电极并且所述内电极包括多个导体部和多个断开部,所述外电极设置在所述主体上,其中,所述内电极的端部的连通度的平均值大于或等于60%,其中,基于所述主体的在第一方向‑第二方向上的截面,E1是从所述多个导体部中的各自具有大于或等于80nm的厚度和长度的导体部中的最靠近所述外电极的导体部至从所述内电极的外端朝向所述内电极的内侧的10μm的点的区域,且所述内电极的端部的连通度是所述内电极的由E1区域中的多个导体部占据的长度相对于E1区域的长度的比率。

    多层电子组件及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115394553A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210562894.8

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括电容形成部和盖部,所述电容形成部包括在第一方向上与多个介电层交替设置的多个内电极,所述盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的相对的表面上,在所述电容形成部的中央区域中的亮度强度为所述盖部中的一个盖部的亮度强度的平均值的大于或等于110%且小于或等于126%的区域的面积相对于所述中央区域的面积的比率是7.2%(面积)或更小。其中,通过控制由电容形成部中的亮度强度为盖部的亮度强度的平均值的大于或等于110%且小于或等于126%的区域所占据的面积分数,可抑制内电极之间短路、电容减小、击穿电压减小等。

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