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公开(公告)号：CN102315824A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110049700.6
申请日：2011-02-28
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/45179 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2203/45562 , H03F2203/45644
Abstract: 提供了一种降低增益失配的功率放大器，以便通过交叉连接来自具有采用堆叠结构的放大单元的功率放大器中的两级放大单元的输出来降低N MOS放大器和P MOS放大器之间的增益失配，在所述堆叠结构中，N MOS放大器和P MOS放大器彼此串联连接。
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公开(公告)号：CN102281034B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110034124.8
申请日：2011-01-31
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器，根据本发明一个方面的功率放大器包括：第一放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器；第二放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器；以及功率合成部，合成第一放大部和第二放大部的各输出信号。
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公开(公告)号：CN102281034A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110034124.8
申请日：2011-01-31
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器，根据本发明一个方面的功率放大器包括：第一放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器；第二放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器；以及功率合成部，合成第一放大部和第二放大部的各输出信号。
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公开(公告)号：CN107919869B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201710887998.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03H11/24
Abstract: 本公开提供一种具有改善的谐波抑制特性的天线开关电路，所述天线开关电路包括连接于用于信号发送和接收的第一信号端口和天线端口之间并且通过第一栅极信号操作的第一开关电路；及连接于用于信号发送和接收的第二信号端口和所述天线端口之间并通过第二栅极信号操作的第二开关电路。第一开关电路和/或第二开关电路包括：第一晶体管和第二晶体管，串联连接于第一信号端口和第二信号端口之间；第一分压电路，包括串联连接在第一晶体管的源极和第一晶体管的漏极之间的第一电阻器和第二电阻器；及第一可变电容器电路，连接于第一分压电路和第一晶体管的基体之间，并且具有根据在第一可变电容器电路的相对端上的电压而变化的电容。
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公开(公告)号：CN111446928A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201910981740.0
申请日：2019-10-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种电感器及包括该电感器的低噪声放大器，所述电感器包括基板和第一线圈图案，所述第一线圈图案设置在所述基板的一个表面上并且具有包括多个匝的螺旋形状，其中，随着所述第一线圈图案向内朝向所述第一线圈图案的中心延伸，所述第一线圈图案的图案宽度减小，而所述第一线圈图案的两个相邻匝之间的中心距增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111063976A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910724721.X
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有相位补偿功能的定向耦合器电路和功率放大装置，所述定向耦合器电路包括：信号线，设置在第一端子与第二端子之间；耦合线，包括第一端部端子和第二端部端子，并且被设置为耦合到所述信号线；开关电路，在第一耦合模式下使所述第一端部端子和耦合端口彼此连接以提取第一耦合信号，并且在第二耦合模式下使所述第二端部端子和所述耦合端口连接以提取第二耦合信号；以及相位补偿电路，被配置为在所述第一耦合模式下补偿所述耦合端口与第一隔离端口之间的相位差或者在所述第二耦合模式下补偿所述耦合端口与第二隔离端口之间的相位差。
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公开(公告)号：CN107919869A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710887998.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03H11/24
CPC classification number: H03K5/1252 , H01P1/213 , H01Q1/50 , H03H11/04 , H04B1/0458 , H04B1/44 , H03K19/018507 , H03H11/245
Abstract: 本公开提供一种具有改善的谐波抑制特性的天线开关电路，所述天线开关电路包括连接于用于信号发送和接收的第一信号端口和天线端口之间并且通过第一栅极信号操作的第一开关电路；及连接于用于信号发送和接收的第二信号端口和所述天线端口之间并通过第二栅极信号操作的第二开关电路。第一开关电路和/或第二开关电路包括：第一晶体管和第二晶体管，串联连接于第一信号端口和第二信号端口之间；第一分压电路，包括串联连接在第一晶体管的源极和第一晶体管的漏极之间的第一电阻器和第二电阻器；及第一可变电容器电路，连接于第一分压电路和第一晶体管的基体之间，并且具有根据在第一可变电容器电路的相对端上的电压而变化的电容。
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公开(公告)号：CN104242965A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410141595.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03F3/189
Abstract: 本发明涉及一种用于接收RF信号的模块和方法。根据本发明的实施方式，提供一种用于接收RF信号的模块，该模块包括：第一放大块，位于输入节点与中间节点之间以放大输入信号；衰减和放大块，形成在输入节点与中间节点之间与第一放大块并联以衰减和放大输入信号；衰减块，形成在中间节点与后节点之间以衰减或传递信号；以及控制块，用于根据从后节点或后节点的后端输出的信号的强度来控制第一放大块、衰减和放大块以及衰减块。此外，提供一种用于接收RF信号的方法。
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公开(公告)号：CN103457543A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310210631.1
申请日：2013-05-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明所公开的是一种宽带低噪声放大器和宽带低噪声放大方法，该宽带低噪声放大器包括：第一LNA，接收单一RF信号来放大该RF信号以提高NF；第二LNA，接收第一LNA的输出作为第一输入、具有通过第一电容器连接至地的第二输入侧、并在高增益模式时运行以在高增益模式的运行时进行高增益放大，从而输出第一差分信号；衰减单元，接收、衰减和输出第一LNA的输出；以及第三LNA，在低增益模式时运行、接收衰减单元的输出作为第三输入、并通过第二电容器接收单一RF信号作为第四输入以进行低增益差分放大，从而输出第二差分信号。
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