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发明公开
形成槽的方法和形成槽的装置审中-公开

公开(公告)号：CN112447912A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010691697.7

申请日：2020-07-17

Applicant: 三星钻石工业株式会社

Inventor： 冈本浩和

IPC: H01L51/48 , H01L51/44 , H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/18

Abstract: 本发明涉及形成槽的方法和形成槽的装置，对包含第一层、形成在第一层上的第二层(半导体层)、形成在第二层上的第三层(透明电极层)的层结构(薄膜太阳能电池)的第二层和第三层同时进行激光加工来形成槽，减少第三层的剥离。P3工序中对包含背面电极层(23)、形成在背面电极层(23)上的光吸收层(25)、形成在光吸收层(25)上的透明导电膜(27)的层结构的光吸收层(25)和透明导电膜(27)同时进行激光加工来形成第三分割槽(27a)。第一工序中在透明导电膜(27)的预定形成槽的部分(27b)的局部形成贯穿至光吸收层(25)的通气通道(33)。第二工序在第一工序后，通过对光吸收层(25)的预定形成槽的部分(25b)和透明导电膜(27)的预定形成槽的部分(27b)进行激光加工来形成第三分割槽(27a)。

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