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公开(公告)号：CN113969106A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110829759.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114350263A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111152096.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , B82Y30/00 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
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公开(公告)号：CN114350263B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111152096.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , B82Y30/00 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光组合物包含溶剂和研磨剂。研磨剂包含用聚乙烯亚胺衍生的氨基硅烷改性的二氧化硅，且组合物具有4到7的pH。所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度，同时抑制在抛光后产生刮痕缺陷。
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公开(公告)号：CN113969106B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110829759.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物以及使用其抛光钨图案晶片的方法。所述CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种溶剂；研磨剂；以及杀生物剂，其中所述研磨剂包含用选自含两个氮原子的硅烷及含三个氮原子的硅烷中的至少一者改性的二氧化硅，并且所述杀生物剂包含式3的化合物。所述CMP浆料组合物可在抛光钨图案晶片时提高钨图案晶片的抛光速率及平整度。
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公开(公告)号：CN111212881A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066432.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。
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