公开(公告)号：CN1610005A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410075125.7

申请日：2004-08-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑宝容 ,  朴镕盛 ,  尹汉熙

IPC: G11C11/41 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: G11C11/412

Abstract: 本发明涉及一种具有闩锁电路的SRAM单元，该闩锁电路包括耦合成链格式的两个倒相器。每个倒相器通过晶体管耦合到电源，并且当数据写入该SRAM时，该晶体管断开。结果，由于该闩锁电路的性能下降，能够将数据轻易写入该SRAM单元，而不发生数据冲突。像这样的SRAM单元可以用于平板显示器，以临时存储对应于用于显示视频的数据信号的数字信号。

公开(公告)号：CN1702879A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073816.8

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹汉熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L51/20 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274

Abstract: 本发明提供了一种TFT衬底及其制造方法。该TFT衬底包括多个TFT，每个TFT都具有栅极、源极和漏极。该多个TFT可以通过在衬底上形成的第一有源区和第二有源区而形成，每个有源区具有相应于源极的源极区和相应于漏极的漏极区。偏移区可以形成于第一和第二有源区之间。单一的接触孔可以到达偏移区和第一和第二有源区相邻的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN100426527C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510073816.8

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹汉熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L51/05 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274

Abstract: 本发明提供了一种TFT衬底及其制造方法。该TFT衬底包括多个TFT，每个TFT都具有栅极、源极和漏极。该多个TFT可以通过在衬底上形成的第一有源区和第二有源区而形成，每个有源区具有相应于源极的源极区和相应于漏极的漏极区。偏移区可以形成于第一和第二有源区之间。单一的接触孔可以到达偏移区和第一和第二有源区相邻的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN1702772A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073805.X

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹汉熙

IPC: G11C11/419 ,  G09G3/30

CPC classification number: G11C11/412 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3275 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

Abstract: 一种用于发光显示器的SRAM芯单元，用于有机电致发光发光显示设备的数据驱动器，包括用作发光显示器的数据驱动器的数据存储器的薄膜晶体管。SRAM芯单元还包括开关晶体管和数据存储晶体管。开关晶体管连接到位线和字线，以选择数据写或者读。数据存储晶体管连接到电源电压或地电压，以允许数据写和读。位线和字线在第一和第二方向上形成。开关晶体管和数据存储器的沟道在与第一和第二方向的斜向上形成。