公开(公告)号：CN1622339A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410096229.6

申请日：2004-11-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  李相杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种带有GOLDD结构的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括有源层，该有源层形成在绝缘衬底上并且具有源极/漏极区域和沟道区域。栅极绝缘薄膜可形成在有源层上，栅极电极可形成在该栅极绝缘薄膜上。该栅极电极可包括第一栅极图案和在该第一栅极图案侧面形成的第二栅极图案。源极/漏极区域可各具有LDD区域，该LDD区域可与所述栅极电极重叠。

公开(公告)号：CN100388507C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410096228.1

申请日：2004-11-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  李相杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域，该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。

公开(公告)号：CN1622341A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410103856.8

申请日：2004-11-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰 ,  金得钟

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的薄膜晶体管可包括栅绝缘层和底图形，底图形位于栅绝缘层下方并与栅绝缘层接触、具有至多约80°的锥角的边缘。采用这种设计，能够提高栅绝缘层的介电强度。底图形可以是栅电极层。

公开(公告)号：CN1897299A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610125721.0

申请日：2006-06-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示装置(OLED)及其制造方法。在同时形成金属互连和栅极电极时或在形成第一电极时，形成用于电连接元件的互连。从而，能减少使用掩模的次数，从而缩短总体制造工艺且降低制造成本。

公开(公告)号：CN1652349A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410075864.6

申请日：2004-11-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  李相杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明公开了一种具有GOLDD结构的薄膜晶体管、其制造方法和使用该薄膜晶体管的平板显示器，这种薄膜晶体管可以包含：形成在绝缘衬底上并且具有源极/漏极区以及沟道区的有源层；形成在有源层上的栅极绝缘膜；和形成在栅极绝缘膜上的栅极电极。栅极电极可以由第一栅极图案和覆盖第一栅极图案的第二栅极图案构成。每个源极/漏极区可以具有LDD区，并且LDD区可以与栅极电极交迭(或者部分位于其下)。

公开(公告)号：CN1885527A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610093263.7

申请日：2006-06-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄义勋 ,  李相杰

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127

Abstract: 提供了TFT和采用所述TFT的OLED的制造方法。所述CMOS TFT的制造方法包括：制备具有第一和第二薄膜晶体管区域的基板；在所述基板上形成栅电极；在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的预定区域上利用掩模形成半导体层；利用所述栅电极对所述掩模的背部曝光；利用受到背部曝光的掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入n型杂质离子，形成沟道区以及源极区和漏极区；对所述背部曝光掩模的两侧进行灰化；利用所述灰化掩模向所述第一和第二薄膜晶体管区域的所述半导体层内注入低浓度杂质离子，形成LDD区；以及向所述第二薄膜晶体管区域的半导体层内注入p型杂质离子，形成源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN1622338A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410096228.1

申请日：2004-11-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  李相杰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域，该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。