公开(公告)号：CN1881642A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610073281.9

申请日：2006-04-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴钟辰 ,  金明淑 ,  卢泰用 ,  李晟熏 ,  李相润 ,  郑银贞

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L51/0055 ,  Y10S977/788

Abstract: 本发明提供一种构图纳米导电薄膜的方法。更具体地，提供一种构图纳米导电颗粒的方法，该方法包括采用具有低分子量的有机半导体作为粘合剂制备其中分散有纳米导电颗粒的施主基底，及利用该施主基底在受主基底上构图纳米导电颗粒。该方法可以用于制备包括显示器件如OLED和OTFT等各种器件的图案。即使不经过沉积，这种器件也可以通过制备包含湿基纳米导电颗粒和有机半导体的器件而简单和经济地制备。