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公开(公告)号：CN1530725A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028732.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458
Abstract: 一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包含了铝合金层，在该铝合金层的两个表面上都形成钛层。因为纯铝会扩散到半导体层中而造成缺陷区域并阻碍了在该薄膜晶体管中形成导电沟道，因此该电极优选不含有任何纯铝。
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公开(公告)号：CN102641822A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210027798.X
申请日：2012-02-08
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 提供了一种用于涂覆活性材料的装置和方法。所述活性材料涂覆装置包括：罐，储存活性材料的浆料；泵，连接到所述罐，并提供所述浆料；狭缝涂布器，被构造为在电极集流体的一个表面上涂覆从所述泵供给的浆料；厚度测量单元，测量沿横向方向和涂覆方向涂覆的浆料的厚度；干燥炉，在测量厚度之后干燥涂覆的表面。
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公开(公告)号：CN102343321A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110087238.9
申请日：2011-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
CPC classification number: B05C5/0254 , B05D1/26 , B05D2252/02 , H01M4/0404
Abstract: 本发明提供一种涂覆设备的真空室系统和利用该真空室系统的涂覆方法，所述涂覆方法防止间歇涂覆中的涂覆溶液的吸引现象，使得涂覆的不合格率降低，从而提高了产品质量。在一个实施例中，涂覆设备的真空室系统包括连接到涂覆设备的涂覆溶液出口的真空室。声压产生单元连接到真空室的一个区域，以产生声压。缓冲罐设置在真空室和声压产生单元之间。在真空室系统中，还在真空室和缓冲罐之间设置控制单元。控制单元控制空气使空气被选择性地吸入真空室和声压产生单元中或者与真空室和声压产生单元阻断。
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公开(公告)号：CN1716637A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510091311.4
申请日：2005-06-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/456 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L27/3279
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。
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公开(公告)号：CN100351691C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410028732.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458
Abstract: 一种用于薄膜晶体管的电极的新颖的设计。该新颖的设计使得即使在进行热处理工艺之后，在源极和漏极之间仍形成正常的导电沟道，以及一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。该薄膜晶体管包括了源极、漏极、栅极和半导体层，其中源极、漏极和栅极中的至少一个包含了铝合金层，在该铝合金层的两个表面上都形成钛层。因为纯铝会扩散到半导体层中而造成缺陷区域并阻碍了在该薄膜晶体管中形成导电沟道，因此该电极优选不含有任何纯铝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1637566A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410010440.1
申请日：2004-12-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: G02F1/1362 , H01L21/00 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/458 , H01L27/3244 , H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一个平板显示装置，其包括基底和具有沉积在基底上的热电阻金属层图案，Al基金属层图案和封盖金属层图案的源极/漏极电极。使用这种设计，该平板显示装置具有低的线阻，热稳定性和同象素电极相比的改进的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104241600A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410075785.9
申请日：2014-03-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01M4/139
CPC classification number: H01M4/0419 , B05C5/0254 , B05C11/1007 , B05C11/1042 , H01M4/139
Abstract: 提供用于电池的活性物质涂敷装置和操作该装置的方法。活性物质涂敷装置包括：具有活性物质的罐；泵，其联接至罐以便活性物质通过该泵被输送；温度控制单元，其联接至泵并配置为控制通过泵被输送的活性物质的温度的加热或冷却。温度控制单元可包括控制单元，该控制单元配置为控制温度控制单元的温度。活性物质涂敷装置可进一步包括联接至温度控制单元的涂敷单元以及包括集流体的卷轴，该卷轴配置为将集流体输送通过涂敷单元，以便集流体被通过温度控制单元输送的并从涂敷单元喷射的活性物质涂敷。
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公开(公告)号：CN100419550C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410039942.7
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: G02F1/136 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12
Abstract: 提供一种用于TFT显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后，由于存在钛层而不会形成小丘。此外，由于在铝与钛层之间存在TiN扩散层而不形成TiAl3。这种新颖结构具有低电阻率，因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像素的大型显示器。
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公开(公告)号：CN1691348A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510052114.1
申请日：2005-02-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3258 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及一种平板显示装置。该装置可包括其上形成有由具有张应力的Mo层或Mo合金层形成的导电层图案的绝缘基板。氮化硅或氮氧化硅层位于所述导电层图案上。通过这种设置，能够实现所述导电层图案和所述绝缘层之间的应力平衡，并改善所述导电层图案和绝缘层之间的附着特性。
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公开(公告)号：CN1530726A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039942.7
申请日：2004-03-12
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12
Abstract: 提供一种用于TFT显示器中导电元件的结构。该结构是基于铝的并且经过热处理。热处理后，由于存在钛层而不会形成小丘。此外，由于在铝与钛层之间存在TiN扩散层而不形成TiAl3。这种新颖结构具有低电阻率，因此适用于采用薄膜晶体管来驱动像素的大型显示器。
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