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公开(公告)号：CN108029187A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580082913.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电磁体支架，能在配置有电磁体的设备室中缩小电磁体的电源电缆配置空间。电磁体支架(1)的特征在于，包括：支承电磁体(2a)的顶板(11)；支撑顶板(11)的多个脚(13)；以及固定于多个脚(13)并且配置于顶板(11)的下侧的电缆配置构件(12)，电磁体(2a)的电源电缆(4)在带电粒子射束(51)的前进方向上延伸配置的电缆配置部(16)形成在电缆配置构件(12)与顶板(11)之间，电缆配置部(16)的与带电粒子射束(51)的前进方向垂直的方向的长度即电缆配置宽度(宽度方向脚间长度(L1))比电磁体(2a)的与带电粒子射束(51)的前进方向垂直的方向的宽度(Mw)要长。
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公开(公告)号：CN107251658B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580076520.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H13/04 , A61N2005/1087 , H05H7/02 , H05H7/08 , H05H7/22 , H05H9/042 , H05H2007/025 , H05H2007/082 , H05H2007/222 , H05H2007/225 , H05H2277/11
Abstract: 本发明的同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法中，在对第一离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第一离子加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，在对与第一离子相比荷质比小的第二离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第二离子加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于第一加速周期差。
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公开(公告)号：CN107251658A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076520.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H13/04 , A61N2005/1087 , H05H7/02 , H05H7/08 , H05H7/22 , H05H9/042 , H05H2007/025 , H05H2007/082 , H05H2007/222 , H05H2007/225 , H05H2277/11
Abstract: 本发明的同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法中，在对第一离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第一离子加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，在对与第一离子相比荷质比小的第二离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第二离子加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于第一加速周期差。
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公开(公告)号：CN105766068B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380081176.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H7/08 , H05H9/00 , H05H9/04 , H05H13/04 , H05H2007/082 , H05H2277/10
Abstract: 本发明的同步加速器用注入器系统包括：产生第一离子的第一离子源；产生电荷质量比小于第一离子的电荷质量比的第二离子的第二离子源；具有能将第一离子和第二离子中的任一离子均进行加速的能力的预加速器；构成为将第一离子和第二离子中的任一离子注入至预加速器的低能量射束输送线路；及仅将从预加速器射出的加速后的第一离子进行加速的自聚焦型后加速器。
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公开(公告)号：CN105766068A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380081176.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H7/08 , H05H9/00 , H05H9/04 , H05H13/04 , H05H2007/082 , H05H2277/10
Abstract: 本发明的同步加速器用注入器系统包括：产生第一离子的第一离子源；产生电荷质量比小于第一离子的电荷质量比的第二离子的第二离子源；具有能将第一离子和第二离子中的任一离子均进行加速的能力的预加速器；构成为将第一离子和第二离子中的任一离子注入至预加速器的低能量射束输送线路；及仅将从预加速器射出的加速后的第一离子进行加速的自聚焦型后加速器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104137190A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280070385.8
申请日：2012-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: A61N5/1048 , A61N5/1043 , A61N5/1079 , A61N2005/1087 , A61N2005/1095 , G21K1/10
Abstract: 本发明的射程移位器包括：透过板(1)，根据能量衰减量的设定值来调整该透过板(1)的厚度；以及保持部(3)，该保持部(3)保持透过板(1)，透过板(1)的厚度被调整成与比设定值要小规定比例的衰减量相当的厚度，并且，透过板(1)和保持部(3)中的至少一个设有重叠构造，该重叠构造将厚度被调整成与规定比例的2倍的衰减量相当的厚度以下的调整片材(2)装卸自由地重叠于透过板(1)。
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公开(公告)号：CN106717132A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480081684.0
申请日：2014-09-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H7/001 , G01N23/025 , G01V5/00 , G21G4/02 , G21K1/04 , H05H7/02 , H05H7/14 , H05H7/22 , H05H2007/002 , H05H2007/022
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能抑制从轨道偏离的损耗离子射束的入射，能高效、且低成本地实现放射能力的降低的移动式直线加速器系统及具备该移动式直线加速器系统的移动式中子源，移动式直线加速器系统(100)采用如下结构：在紧靠后级加速器(3)的入口(3a)前设有斩束器(6)，排除由前级加速器(2)预加速后的质子射线中未被控制的质子射线，仅使被控制的质子射线射出至后级加速器(3)，防止质子射线冲击后级加速器的加速电极等。
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公开(公告)号：CN103293546B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210249539.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在放射线束监视装置中提高气密窗的耐久性。放射线束监视装置包括：在放射线的射入侧设置有窗口的、金属制的壳体；从壳体的外侧覆盖窗口的高分子窗膜；从壳体的内侧包围窗口的周围的密封构件；从壳体的内侧覆盖窗口、并经由密封构件而固定于壳体的、金属制的窗膜；与窗膜相对配置、并被设定成与壳体处于等电位的第一屏蔽膜；配置得比第一屏蔽膜要靠近放射线的下游侧、并被施加有电压的第一金属膜；配置得比第一金属膜要靠近放射线的下游侧、并被施加有电压的第二金属膜；配置于第一金属膜与第二金属膜之间、并与测量器具相连接的信号电极；及配置得比第二金属膜要靠近放射线的下游侧、并被设定成与壳体处于等电位的第二屏蔽膜。
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公开(公告)号：CN103026802B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180034236.1
申请日：2011-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05H9/00
CPC classification number: H05H9/042 , H05H2007/043 , H05H2007/222
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能对大电流的粒子束进行加速的漂移管直线加速器。在使入射的粒子束通过沿圆柱形谐振腔（1）内的所述粒子束的射束前进方向（2）排列配置的圆柱状的多个漂移管电极（3,12,13）内部的同时，由在多个漂移管电极（3,12,13）之间产生的高频电场对粒子束进行加速的漂移管直线加速器中，在端部漂移管电极（13）的内部配置聚焦设备（14），该端部漂移管电极（13）是多个漂移管电极（3,12,13）中配置在离圆柱形谐振腔（1）的入射侧最近处的漂移管电极，该聚焦设备对粒子束进行聚焦，该聚焦设备配置为可与端部漂移管电极（13）独立地进行位置调整。
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公开(公告)号：CN103293546A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210249539.1
申请日：2012-07-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在放射线束监视装置中提高气密窗的耐久性。放射线束监视装置包括：在放射线的射入侧设置有窗口的、金属制的壳体；从壳体的外侧覆盖窗口的高分子窗膜；从壳体的内侧包围窗口的周围的密封构件；从壳体的内侧覆盖窗口、并经由密封构件而固定于壳体的、金属制的窗膜；与窗膜相对配置、并被设定成与壳体处于等电位的第一屏蔽膜；配置得比第一屏蔽膜要靠近放射线的下游侧、并被施加有电压的第一金属膜；配置得比第一金属膜要靠近放射线的下游侧、并被施加有电压的第二金属膜；配置于第一金属膜与第二金属膜之间、并与测量器具相连接的信号电极；及配置得比第二金属膜要靠近放射线的下游侧、并被设定成与壳体处于等电位的第二屏蔽膜。
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