-
公开(公告)号：CN1163465A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97103063.4
申请日：1997-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 优异的压敏非线性电阻体、其避雷器及该电阻体制法。此电阻体是在以氧化锌为主成分且含氧化铋的组成料中，添加Y、Ho、Er、Yb中至少一种氧化物，按R2O3换算的量为0.05～1.0mol％。第一烧成步骤是在大气中进行，第二烧成步骤的降温过程则是在700～400℃之间按0～5℃/小时的降温梯度的退火过程或保温过程，此两过程都是在氧分压不低于50(容量)％的气氛中进行。
-
公开(公告)号：CN110419097A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201780086549.9
申请日：2017-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体元件接合体具有设置有凹部的基板、以及在配置于凹部的状态下搭载于基板的半导体元件。基板的设置有凹部的部分由Cu构成。形成于凹部的外周部的台阶的高度d为20[μm]以上且小于50[μm]。当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下。金属膜设置于半导体元件。凹部的底面与金属膜相互直接接合。
-
公开(公告)号：CN109478517A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201680087243.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体晶片上通过蒸镀来依次形成密合性提高膜(2)、Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)；对半导体晶片进行切割来得到半导体元件(1)；在基板(6)上通过蒸镀来依次形成Ni膜(7)和Au膜(5)；以及在将形成在半导体元件(1)上的Au膜(5)与形成在基板(6)上的Au膜(5)面对面地层叠之后，进行加热来接合。在由Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)构成的金属层叠膜中，Pt膜(3)为5质量％以上且小于10质量％，Au膜(5)为51质量％以上且小于75质量％，Sn膜(4)是剩余部分。
-
公开(公告)号：CN1055170C
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN96111380.4
申请日：1996-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01C7/10 , C04B35/453
CPC classification number: H01C7/112
Abstract: 一种电压非线性电阻及其制造方法，其特征在于，在以氧化锌为主成分的电压非线性电阻中，将稀土类元素(R)换算成氧化物R2O3后含有0.01mol%-3.0mol%，将铝换算为Al2O3后含有0.0005mol%-0.005mol%。因此，从大电流区到小电流区的整个范围，平坦率不会变坏，并能提高非线性电阻电压。从而解决了非线性电阻电压增大使平坦率变坏的问题。
-
公开(公告)号：CN110536770A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026226.5
申请日：2018-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 接合结构体，是包含通过Zn系钎料(2)而被接合的Cu系被接合材料(1)的接合结构体，在Zn系钎料与Cu系被接合材料之间具备包含第1合金相(3)、第2合金相(4)及第3合金相(5)的接合部，第1合金相(3)是具有Cu5Zn8的基本组成的合金相，第3合金相(5)是一部分与第1合金相相接的、具有CuZn4或CuZn5的基本组成的合金相，第2合金相(4)是在第1合金相与第3合金相的界面所形成的具有CuZn3的基本组成的合金相，在与接合方向平行的截面中，所述第1合金相与所述第3合金相的界面处的所述第2合金相所占的比例不到80％。由此，能够得到Zn系钎料与Cu系被接合材料的接合部处的空隙的形成受到抑制的接合可靠性高的接合结构体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102217010B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200880131984.X
申请日：2008-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: H01C7/112 , H01C17/06546
Abstract: 本发明涉及的电压非线性电阻器，其特征在于，由烧结体制成，该烧结体主要由氧化锌粒子、以锌和锑为主成分的尖晶石粒子、和氧化铋相构成，在氧化铋相中选自钾和钠中的至少1种的碱金属以0.036原子％以上0.176原子％以下的范围存在。该电压非线性电阻器同时具有优异的电压非直线性和带电寿命特性，因此适合用于避雷器。
-
公开(公告)号：CN109478517B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680087243.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体晶片上通过蒸镀来依次形成密合性提高膜(2)、Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)；对半导体晶片进行切割来得到半导体元件(1)；在基板(6)上通过蒸镀来依次形成Ni膜(7)和Au膜(5)；以及在将形成在半导体元件(1)上的Au膜(5)与形成在基板(6)上的Au膜(5)面对面地层叠之后，进行加热来接合。在由Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)构成的金属层叠膜中，Pt膜(3)为5质量％以上且小于10质量％，Au膜(5)为51质量％以上且小于75质量％，Sn膜(4)是剩余部分。
-
公开(公告)号：CN102217010A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200880131984.X
申请日：2008-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: H01C7/112 , H01C17/06546
Abstract: 本发明涉及的电压非线性电阻器，其特征在于，由烧结体制成，该烧结体主要由氧化锌粒子、以锌和锑为主成分的尖晶石粒子和氧化铋相构成，在氧化铋相中选自钾和钠中的至少1种的碱金属以0.036原子％以上0.176原子％以下的范围存在。该电压非线性电阻器同时具有优异的电压非直线性和带电寿命特性，因此适合用于避雷器。
-
公开(公告)号：CN110419097B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201780086549.9
申请日：2017-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体元件接合体具有设置有凹部的基板、以及在配置于凹部的状态下搭载于基板的半导体元件。基板的设置有凹部的部分由Cu构成。形成于凹部的外周部的台阶的高度d为20[μm]以上且小于50[μm]。当设为激光的波长λ＝632.8[nm]时，凹部的底面的平坦度为λ/8.7[μm]以上且λ/1.2[μm]以下。金属膜设置于半导体元件。凹部的底面与金属膜相互直接接合。
-
公开(公告)号：CN110536770B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201880026226.5
申请日：2018-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 接合结构体，是包含通过Zn系钎料(2)而被接合的Cu系被接合材料(1)的接合结构体，在Zn系钎料与Cu系被接合材料之间具备包含第1合金相(3)、第2合金相(4)及第3合金相(5)的接合部，第1合金相(3)是具有Cu5Zn8的基本组成的合金相，第3合金相(5)是一部分与第1合金相相接的、具有CuZn4或CuZn5的基本组成的合金相，第2合金相(4)是在第1合金相与第3合金相的界面所形成的具有CuZn3的基本组成的合金相，在与接合方向平行的截面中，所述第1合金相与所述第3合金相的界面处的所述第2合金相所占的比例不到80％。由此，能够得到Zn系钎料与Cu系被接合材料的接合部处的空隙的形成受到抑制的接合可靠性高的接合结构体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.022 seconds)
