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公开(公告)号：CN107431469A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580077567.1
申请日：2015-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种能够将噪声滤波器的衰减效果维持至高频并防止噪声滤波器成为高温的噪声滤波器。接地导体(19)、(24)的接地图案(19a)、(19b)、(24a)、(24b)在其与绕组导体(100)的绕组图案的输入输出端子位置(3)、(6)、(14)、(18)相向的位置(29)～(32)向绕组图案的外侧延伸配设，在接地导体的接地图案(19a)、(19b)、(24a)、(24b)上设置有狭缝(20)～(23)、(25)～(28)，所述狭缝对配置于磁性体芯(400)的周围的部分进行分割。
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公开(公告)号：CN107534424B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680018367.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种噪声滤波器(100、200、300)，具备层叠平板状的导体(50)而构成有绕组图案的线圈(1a、1b)、被该线圈(1a、1b)卷绕的磁芯(2)以及与线圈(1a、1b)的层叠方向的端部电绝缘地紧贴的散热部件(3)，其中，配置于线圈(1a、1b)的层叠方向的端部的导体(50)的热阻与其他导体(50)的热阻相比最小。
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公开(公告)号：CN110582853A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880027397.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制氧化物的析出来防止树脂层的剥离且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置(100)具备：第二导电类型的末端阱区域(2)，形成于半导体层(1b)的表层；场绝缘膜(3)，被设置成延伸到比末端阱区域(2)的外周端更外周侧；树脂层，被设置成至少一部分在比场绝缘膜(3)的外周端靠外周侧的半导体层(1b)的表面上延伸；第二导电类型的浮动阱区域(7)，在半导体层(1b)的表层，形成为与末端阱区域(2)分离，与场绝缘膜(3)的外周端相接且延伸到比场绝缘膜(3)的外周端更外周侧，具有浮置电位。
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公开(公告)号：CN107534424A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680018367.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种噪声滤波器(100、200、300)，具备层叠平板状的导体(50)而构成有绕组图案的线圈(1a、1b)、被该线圈(1a、1b)卷绕的磁芯(2)以及与线圈(1a、1b)的层叠方向的端部电绝缘地紧贴的散热部件(3)，其中，配置于线圈(1a、1b)的层叠方向的端部的导体(50)的热阻与其他导体(50)的热阻相比最小。
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公开(公告)号：CN110582853B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201880027397.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制氧化物的析出来防止树脂层的剥离且可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置(100)具备：第二导电类型的末端阱区域(2)，形成于半导体层(1b)的表层；场绝缘膜(3)，被设置成延伸到比末端阱区域(2)的外周端更外周侧；树脂层，被设置成至少一部分在比场绝缘膜(3)的外周端靠外周侧的半导体层(1b)的表面上延伸；第二导电类型的浮动阱区域(7)，在半导体层(1b)的表层，形成为与末端阱区域(2)分离，与场绝缘膜(3)的外周端相接且延伸到比场绝缘膜(3)的外周端更外周侧，具有浮置电位。
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