公开(公告)号：CN108352411B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201680063662.0

申请日：2016-04-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今泽贵史 ,  藤野俊明 ,  本谷宗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，矩阵状地排列有多个像素，其中，像素具备薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管具有：栅电极，配设于基板上，并由金属构成；栅极绝缘膜，至少覆盖栅电极；半导体层，隔着栅极绝缘膜而设置于与栅电极相对的位置，半导体层由氧化物半导体构成；源电极及漏电极，与半导体层相接；以及层间绝缘膜，至少设置于半导体层、源电极及漏电极之上，像素电极与漏电极电连接，栅电极具有2.5×1020～2×1022atoms/cm3的氢吸留能力，半导体层的氢浓度是1×1016～3×1020atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN108352411A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063662.0

申请日：2016-04-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今泽贵史 ,  藤野俊明 ,  本谷宗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，矩阵状地排列有多个像素，其中，像素具备薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管具有：栅电极，配设于基板上，并由金属构成；栅极绝缘膜，至少覆盖栅电极；半导体层，隔着栅极绝缘膜而设置于与栅电极相对的位置，半导体层由氧化物半导体构成；源电极及漏电极，与半导体层相接；以及层间绝缘膜，至少设置于半导体层、源电极及漏电极之上，像素电极与漏电极电连接，栅电极具有2.5×1020～2×1022atoms/cm3的氢吸留能力，半导体层的氢浓度是1×1016～3×1020atoms/cm3以下。