Patent search ap:("三菱电机株式会社") AND inv:"林山吉生" Page 1

1.

发明公开
含绝缘体的半导体装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1467812A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03108327.7

申请日：2003-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽田真人 , 飞松博 , 林山吉生

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76245

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置与其制造方法，旨在提供具有以没有空隙等缺陷的膜质良好的绝缘膜填充细沟的内部而显示良好隔离特性的元件隔离结构的半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括半导体衬底(1)和隔离绝缘体(2a～2c)。其中，半导体衬底(1)的主表面上有沟(17a～17c)形成，隔离绝缘体(2a～2c)用热氧化法形成于沟的内部，将半导体衬底(1)的主表面上的元件形成区域隔离。所述隔离绝缘体(2a～2c)是多个氧化膜(3a～3c、4a～4c、5a～5c、6b、7b)的叠层体。

Patent Agency Ranking