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公开(公告)号：CN107155378B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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公开(公告)号：CN115668456A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080101066.3
申请日：2020-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 抑制在切割通路中的半导体膜中产生龟裂。半导体装置具备：第1切割通路，通过多个保护膜的各个保护膜被形成的多个元件区域之间，并且沿着第1轴延伸；第2切割通路，通过多个元件区域之间，并且沿着第2轴延伸；以及阻挡岛，位于第1切割通路和第2切割通路的交叉部中的半导体膜的上表面，并且不与多个元件区域接触。满足X_si>X_ds并且Y_si
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公开(公告)号：CN107851681A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580081781.4
申请日：2015-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 目的在于，在形成固相扩散源的膜后，接着在进行基于热处理的杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，包括：在具有受光面(1A)以及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及热处理工序，加热n型单晶硅基板(1)，使作为第2导电类型的杂质的硼从BSG膜(2)扩散而形成p型扩散层(7)，在热处理工序之前，包括去除形成于背面1B的含硼生成物(4)、含氧化硅生成物(5)等固相扩散源的膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108604870B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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公开(公告)号：CN108780825A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680082530.2
申请日：2016-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及对n型单晶硅基板(1)进行加热，从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散，形成p型扩散层(7)的热处理工序，在pn分离工序之前，形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7)，去除BSG膜(2)。进而，在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前，包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。
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公开(公告)号：CN108604870A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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公开(公告)号：CN107155378A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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公开(公告)号：CN102893409A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201080066804.1
申请日：2010-05-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 为了高速且高精度地形成逆金字塔状的纹理构造，利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在使用了单晶硅的光电动势装置表面形成防反射纹理时，使用脉冲激光和激光波束分支部件，在成为所期望的金字塔状凹部的底面的正方形的对角线方向上加工多个激光孔，使各正方形之间的激光孔的间距大于所述对角线上的间距。
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