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公开(公告)号：CN111699061A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012710.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 激光吸收率优异的该铜合金粉末含有0.003质量％以上且5.0质量％以下的量的B和S中的一种或两种，剩余部分由不可避免的杂质和Cu构成，平均粒径为20μm以上且80μm以下。激光吸收率优异的该铜合金粉末优选为金属层叠造型用粉末。
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公开(公告)号：CN114787400B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202080082309.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，KAM值的平均值为3.0以下。
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公开(公告)号：CN114761590B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202080082244.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，小倾角晶界及亚晶界的长度LLB与大倾角晶界的长度LHB具有LLB/(LLB+LHB)＞20％的关系。
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公开(公告)号：CN111699061B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201980012710.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 激光吸收率优异的该铜合金粉末含有0.003质量％以上且5.0质量％以下的量的B和S中的一种或两种，剩余部分由不可避免的杂质和Cu构成，平均粒径为20μm以上且80μm以下。激光吸收率优异的该铜合金粉末优选为金属层叠造型用粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114787400A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080082309.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70assppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，KAM值的平均值为3.0以下。
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公开(公告)号：CN114302975B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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公开(公告)号：CN114761589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202080082235.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，平均晶体粒径在10μm以上且100μm以下的范围内，导电率为90％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为50％以上。
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