公开(公告)号：CN115574322A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210633627.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 松田浩辉 ,  今田润司 ,  中拂博之 ,  大丸卓一郎

IPC: F23G5/02 ,  F23G5/34 ,  F23G5/46 ,  F23G5/50 ,  F23K1/00 ,  F23K3/16 ,  F28B9/08 ,  F28D7/00 ,  G01K13/00 ,  G01L19/00 ,  G01N33/00 ,  B05B12/12 ,  F01D15/10 ,  F01K11/02

Abstract: 本公开提供一种以简易的构成使由垃圾的燃烧得到的热量稳定化的垃圾燃烧系统、垃圾燃烧发电系统以及垃圾污水处理方法。垃圾燃烧系统(10)具备：垃圾燃烧炉(30)；垃圾供给单元(80)，用于向垃圾燃烧炉(30)供给垃圾(2)；垃圾污水槽(35)，用于贮存从处于垃圾供给单元(80)的垃圾(2)分离出的垃圾污水；水分计测器(60)，用于计测处于垃圾供给单元(80)的垃圾(2)的含水率；喷洒装置(70)，用于将贮存于垃圾污水槽(35)的垃圾污水喷洒至垃圾(2)；和控制器(90)，用于根据由水分计测器(60)计测出的垃圾(2)的含水率来控制喷洒装置(70)。

公开(公告)号：CN115547950A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210737740.8

申请日：2022-06-27

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 松田浩辉 ,  川水努

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473

Abstract: 提供一种发挥更佳冷却效果的冷却装置。一种冷却装置，对封装在基板表面的半导体元件进行冷却，具备：基座，其安装在基板的背面；以及底板，其与基座分隔配置，在与底板的半导体元件对应的位置，形成有从与背面对向的方向引导制冷剂的导入口。

公开(公告)号：CN115527960A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210598600.7

申请日：2022-05-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 松田浩辉 ,  川水努

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/46

Abstract: 提供一种进一步提高了冷却效率的冷却装置。冷却装置是冷却安装于基板的表面的半导体零件的冷却装置，具备：基座，装配于基板的背面；和底板，与基座分离配置，在基座中的朝向底板侧的面中的与半导体零件对应的区域中，形成有朝向基板侧凹陷的凹部。