公开(公告)号：CN114220841A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111513906.X

申请日：2021-12-13

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王佰胜 ,  金锋 ,  潘山山 ,  苗彬彬 ,  周柳怡 ,  朱冬慧 ,  都文韬

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部；U型部包括第一、第二U型纵向部以及U型端；第一、第二U型纵向部的一端分别连接于U型端的两端；第一横向平直部的一端连接于U型部中第一U型纵向部的另一端；第二U型纵向部的另一端与第二横向平直部的一端连接；第二横向平直部的另一端连接于纵向平直部的一端；纵向平直部的另一端连接于第三横向平直部的一端；第一、第二横向平直部处于一条直线上；第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；U型部处于第一、第二横向平直部与第三横向平直部之间。本发明集成了升压二极管的高压环结构，这种结构增加LDMOS宽度并增大升压二极管的电流。