公开(公告)号：CN103809303A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210439422.X

申请日：2012-11-06

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈瑜 ,  罗啸 ,  王玉杰 ,  陈华伦

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种可调光分路器，包括：N+半导体层；形成于N+半导体层上的脊形波导区，该脊形波导区由无掺杂硅层光刻刻蚀后形成；在脊形波导区和N+半导体层表面形成有金属层，金属层和N+半导体层接触形成肖特基二极管，该肖特基二极管将脊形波导区包围并通过肖特基二极管对脊形波导区进行载流子注入实现脊形波导区折射率的调节。本发明还公开了一种可调光分路器的制造方法。本发明能减少器件的结电容、减少器件调制时的反向恢复时间，提高器件的调制速度。

公开(公告)号：CN103809303B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210439422.X

申请日：2012-11-06

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 陈瑜 ,  罗啸 ,  王玉杰 ,  陈华伦

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种可调光分路器，包括：N+半导体层；形成于N+半导体层上的脊形波导区，该脊形波导区由无掺杂硅层光刻刻蚀后形成；在脊形波导区和N+半导体层表面形成有金属层，金属层和N+半导体层接触形成肖特基二极管，该肖特基二极管将脊形波导区包围并通过肖特基二极管对脊形波导区进行载流子注入实现脊形波导区折射率的调节。本发明还公开了一种可调光分路器的制造方法。本发明能减少器件的结电容、减少器件调制时的反向恢复时间，提高器件的调制速度。