一种CeO2-AgVO3异质结材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112371125B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202011416773.X

    申请日:2020-12-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种CeO2‑AgVO3异质结材料及制备方法和应用,所述制备方法步骤如下:将Ce(NO3)3•6H2O溶液逐滴加入NaOH溶液中,混合完全后转移到高压釜中,于175‑185℃保持11‑13h,离心后干燥得到CeO2纳米颗粒;将CeO2、AgNO3溶于水中,逐滴加入NH4VO3溶液,于黑暗条件下搅拌4‑6h,离心干燥后得到CeO2‑AgVO3纳米颗粒。CeO2‑AgVO3异质结的形成增大了材料的比表面积和孔隙率,电荷载体可以跨越异质结构的界面转移以抑制重组,进而大大促进了单一CeO2半导体的光催化性能。本发明的异质结材料比单一材料表现出了更优异的光催化效果,可用于有机污染的水处理。

    一种CeO2-AgVO3异质结材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112371125A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011416773.X

    申请日:2020-12-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种CeO2‑AgVO3异质结材料及制备方法和应用,所述制备方法步骤如下:将Ce(NO3)3•6H2O溶液逐滴加入NaOH溶液中,混合完全后转移到高压釜中,于175‑185℃保持11‑13h,离心后干燥得到CeO2纳米颗粒;将CeO2、AgNO3溶于水中,逐滴加入NH4VO3溶液,于黑暗条件下搅拌4‑6h,离心干燥后得到CeO2‑AgVO3纳米颗粒。CeO2‑AgVO3异质结的形成增大了材料的比表面积和孔隙率,电荷载体可以跨越异质结构的界面转移以抑制重组,进而大大促进了单一CeO2半导体的光催化性能。本发明的异质结材料比单一材料表现出了更优异的光催化效果,可用于有机污染的水处理。

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