带有反应基团的偶联剂改性的纳米氧化锌的制备方法

    公开(公告)号:CN101519543A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910046516.9

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种带有反应基团的偶联剂改性的纳米氧化锌的制备方法,属于无机纳米粒子改性及无机纳米粒子/有机高分子聚合物复合材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要过程为:将纳米氧化锌超声分散于无水乙醇中,得到分散液,然后将偶联剂γ-(4-叠氮-2,3,5,6-四氟苯甲酰亚胺)基丙基三甲氧基硅烷和pH调节剂加入上述分散液中,在80~90℃温度下回流反应1~2小时,反应后得到带有反应基团的偶联剂改性的纳米氧化锌-乙醇悬浮液,然后进行过滤,离心分离滤液,得到带反应基团的改性的纳米氧化锌;然后将其超声分散于二氯甲烷中,配制成改性纳米氧化锌-二氯甲烷悬浮液;将该悬浮液加入于各种有机聚合物中制成无机纳米粒子/有机聚合物复合材料。

    氧化锌量子点改性的导热有机硅胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101691446B

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN200910196557.6

    申请日:2009-09-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种氧化锌量子点改性的导热有机硅胶的制备方法,属于半导体光电器件封装材料技术领域。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化锌量子点,并将分散于有机溶剂中的氧化锌量子点与有机硅胶进行复合。采用的有机硅胶基体为α,ω二羟基聚二甲基二苯硅氧烷,两者加入量的质量比例即ZnO∶有机硅基体=0.2∶100~1.0∶100;另外再加入固化剂正硅酸乙酯和催化剂二丁基二月桂酸锡,在常温下不断搅拌使混合均匀后,将混合物浇入模具中,真空排气泡,并固化8~10小时,最终得到氧化锌量子点改性的导热有机硅胶。本发明制得的封装用硅胶具有较高的导热率和良好的透明度,透光率为60~90%,导热率为0.895~1.133W/(mK)。

    氧化锌量子点改性的导热有机硅胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101691446A

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200910196557.6

    申请日:2009-09-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种氧化锌量子点改性的导热有机硅胶的制备方法,属于半导体光电器件封装材料技术领域。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化锌量子点,并将分散于有机溶剂中的氧化锌量子点与有机硅胶进行复合。采用的有机硅胶基体为α,ω二羟基聚二甲基二苯硅氧烷,两者加入量的质量比例即ZnO∶有机硅基体=0.2∶100~1.0∶100;另外再加入固化剂正硅酸乙酯和催化剂二丁基二月桂酸锡,在常温下不断搅拌使混合均匀后,将混合物浇入模具中,真空排气泡,并固化8~10小时,最终得到氧化锌量子点改性的导热有机硅胶。本发明制得的封装用硅胶具有较高的导热率和良好的透明度,透光率为60~90%,导热率为0.895~1.133W/(mK)。

    大功率LED封装用环氧倍半硅氧烷/环氧树脂杂化材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101654509A

    公开(公告)日:2010-02-24

    申请号:CN200910196537.9

    申请日:2009-09-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种大功率LED用的耐热、耐紫外辐射、透明性高的杂化树脂封装材料,属半导体光电器件封装材料技术领域。本发明的制备过程主要是:先采用水解法制备出环氧倍半硅氧烷。然后在所述的环氧倍半硅氧烷中加入双酚A型环氧树脂;两者的质量配比为10∶90~90∶10;两者的总和为100;然后在70~80℃下搅拌20~30分钟,使反应完全;然后另外加入30%~70%的固化剂甲基六氢苯酐并加入0.2~0.5%的固化促进剂三乙醇胺;将上述所得的混合物在80~130℃下分阶段固化;固化时间为0.5~5.0小时,最终得到大功率LED封装用环氧倍半硅氧烷/环氧树脂杂化材料。

    纳米氧化锌改性的有机硅封装胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101434748A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200810203983.3

    申请日:2008-12-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化锌改性的有机硅封装胶的制备方法,属于光电器件的封装材料技术领域。本发明方法的要点是:首先配制一定浓度的表面处理剂即硅烷偶联剂溶液,用硅烷偶联剂改性纳米氧化锌,然后将经过改性的纳米氧化锌填加入有机硅胶中,即制得有机硅封装胶。本发明中纳米氧化锌的加入量与有机硅胶两者的质量比为(0.01~0.15)∶100。搅拌混合后,再加入少量固化剂和催化剂,继续搅拌混合均匀,最终制得纳米氧化锌改性的有机硅封装胶。本发明方法制得的有机硅封装胶,其导热率可提高6~38%,折光率可以提高0.1~4.5%,光学透明度大于95%。

    在半导体硅基底上催化生长ZnO纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101286453A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200810037821.7

    申请日:2008-05-22

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种在半导体硅基底上利用过渡金属的独特催化作用和高分子网络络合效应来促进ZnO纳米线自组装生长的催化生长方法。属于半导体光电纳米材料制备工艺技术领域。本发明采用化学镀镍工艺和高分子自组装生长相结合的工艺方法,通过一定的工艺条件,并适当控制反应条件,在硅基底上得到形貌和性能良好的ZnO纳米线薄膜。本发明方法的制备步骤包括:①半导体硅基底的准备;②硅基底的化学镀镍预处理;③ZnO纳米线的生长。本发明方法所得到的ZnO纳米线在硅基底上分布均匀而致密,直径为40~100nm,长度为10μm左右,长径比大于10,形态均匀。

    纳米氧化锌改性的有机硅封装胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101434748B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810203983.3

    申请日:2008-12-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化锌改性的有机硅封装胶的制备方法,属于光电器件的封装材料技术领域。本发明方法的要点是:首先配制一定浓度的表面处理剂即硅烷偶联剂溶液,用硅烷偶联剂改性纳米氧化锌,然后将经过改性的纳米氧化锌填加入有机硅胶中,即制得有机硅封装胶。本发明中纳米氧化锌的加入量与有机硅胶两者的质量比为(0.01~0.15)∶100。搅拌混合后,再加入少量固化剂和催化剂,继续搅拌混合均匀,最终制得纳米氧化锌改性的有机硅封装胶。本发明方法制得的有机硅封装胶,其导热率可提高6~38%,折光率可以提高0.1~4.5%,光学透明度大于95%。

    高透光的大功率发光二极管用封装胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101519576B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN200910046522.4

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种高透光的大功率发光二极管用封装胶的制备方法,属光电器件特种封装胶或粘结剂技术领域。本发明的工艺步骤主要包括有:(1)纳米氧化锌的改性,采用偶联剂,获得改性纳米氧化锌;(2)改性的纳米氧化锌在有机硅氧烷树脂上的接枝,纳米氧化锌与有机硅氧烷树脂的质量配比为:0.25~1.0∶100;接枝反应温度为130~170℃,反应时间为30~60分钟;(3)纳米氧化锌/有机聚硅氧烷聚合物的固化,将上述反应后的有机硅树脂基体中加入一定量的交联剂正硅酸乙酯和催化剂二月桂酸二丁基锡,混合均匀后将有机硅树脂浇入模具中固化,制得有机硅封装胶。本发明方法制得的封装胶具有较高的透光率和折光率,可提高大功率发光二极管的透光性能,为新的二极管照明光源创造了良好条件。

    高透光的大功率发光二极管用封装胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101519576A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910046522.4

    申请日:2009-02-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种高透光的大功率发光二极管用封装胶的制备方法,属光电器件特种封装胶或粘结剂技术领域。本发明的工艺步骤主要包括有:(1)纳米氧化锌的改性,采用偶联剂,获得改性纳米氧化锌;(2)改性的纳米氧化锌在有机硅氧烷树脂上的接枝,纳米氧化锌与有机硅氧烷树脂的质量配比为:0.25~1.0∶100;接枝反应温度为130~170℃,反应时间为30~60分钟;(3)纳米氧化锌/有机聚硅氧烷聚合物的固化,将上述反应后的有机硅树脂基体中加入一定量的交联剂正硅酸乙酯和催化剂二月桂酸二丁基锡,混合均匀后将有机硅树脂浇入模具中固化,制得有机硅封装胶。本发明方法制得的封装胶具有较高的透光率和折光率,可提高大功率发光二极管的透光性能,为新的二极管照明光源创造了良好条件。

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