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发明公开
一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法无效

公开(公告)号：CN101857264A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010185570.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张海娇 , 焦正 , 王琳 , 吴若飞 , 谈志金 , 施文明

IPC: C01G19/02 , C01B33/12

Abstract: 本发明涉及一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属无机半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明采用二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和介孔二氧化硅(MCM-41)为原料，两者的用量按质量比即SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)为计量基准；先按已知现有技术制得介孔二氧化硅(MCM-41)；将SnCl2·2H2O高温熔化后与介孔二氧化硅混合，并在100℃下使其反应；然后在500～700℃下焙烧2～6小时，得到SnO2/MCM-41复合物；然后用1～3mol/L的NaOH溶液或5～10wt％的HF溶液进行处理，搅拌过夜，以除去介孔硅模板；经离心分离、洗涤；最终制得纯相SnO2气敏材料。

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