公开(公告)号：CN104562171A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510022390.7

申请日：2015-01-16

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡志宇 ,  吴义桂 ,  林忠劲 ,  龙啸 ,  田遵义 ,  韩超 ,  张海明

IPC: C25F3/12

Abstract: 本发明公开了一种图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法，固定的硅片将电解槽分为两个独立的部分，铂网作为电极材料，腐蚀液为氢氟酸和乙醇按一定配比形成的混合溶液。光强可调，可选特定波长连续可调以及具有图形化配件的光源照射硅片表面，该光源由控制器控制输出激光，再经由光学系统准直扩束，最终通过图形化配件输出照射到硅片表面。在满足n型掺杂硅片所需的空穴的同时更重要的是提供了图形化配件思路，虽然引入的光源条件作为参量使系统复制化，但是对于多孔硅层的形貌产生了积极影响，使形成的多孔硅层的形貌具有多样性。对于p型掺杂的硅片除了加快腐蚀速率之外也可实现相同的功能，并提供了一种双槽电化学腐蚀制备多孔硅层的新思路。

公开(公告)号：CN103855228A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410059407.1

申请日：2014-02-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 胡志宇 ,  林忠劲

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L35/32

Abstract: 本发明公开了一种基于光学天线的太赫兹探测器件，包括衬底，蝶形光学天线，微小产热金属块，第一欧姆接触电极，第二欧姆接触电极，n型半导体引出线和p型半导体引出线；所述蝶形光学天线位于所述衬底表面；所述微小产热金属块位于所述衬底表面，被所述蝶形光学天线的两臂夹在中间；所述第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极位于所述衬底表面，对称布置在蝶形光学天线的对称轴上；所述n型半导体引出线嵌于所述衬底内，一端与所述微小产热金属块底面相连接，另一端与所述第一欧姆接触电极的底面相连接；所述p型半导体引出线嵌于所述衬底内，一端与所述微小产热金属块底面相连接，另一端与所述第二欧姆接触电极的底面相连接。