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公开(公告)号：CN1475798A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03141514.8
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/407 , G01N13/16 , H01L49/00
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。本发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101704610A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198210.5
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C02F9/14 , C02F1/30 , C02F1/52 , C02F101/36
Abstract: 本发明涉及一种经电子束辐照后处理医药中间体废水—左旋—苯甘氨酸废水的方法，属废水处理技术领域。本发明方法主要是将药厂中间体废水—左旋—苯甘氨酸废水先进行电子束辐照处理，辐照剂量为300～600KGy，然后再将废水进入生化反应系统装置进一步作深度处理，最终使废水达到国家允许排放标准。
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公开(公告)号：CN101708874A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910198212.4
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C02F1/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及一种利用辐照降解水体中邻溴苯胺的方法，属废水处理技术领域。本发明的方法主要是将含有一定浓度邻溴苯胺溶液的水体，调节其pH值，将其放置于传统常用的电子加速器产生的电子束下进行辐照处理；辐照时，所述电子束的能量为1.6～2.0Mev，电子束流为1.0～1.2mA，辐照剂量强度为6～14KGy，水体pH值为4～10；处理后最终邻溴苯胺的降解率为90～99％。
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公开(公告)号：CN1194427C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03141514.8
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L49/00 , H01L21/285 , H01L21/316 , G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。本发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。
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公开(公告)号：CN1320667C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03141513.X
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
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公开(公告)号：CN1476110A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03141513.X
申请日：2003-07-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种对硫化氢气体敏感的半导体传感器气敏元件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制造方法的特征在于，采用厚膜工艺在氧化铝衬底上制备二氧化锡层，再在二氧化锡层表面制备氧化铜层，形成氧化铜/二氧化锡复合膜的气敏元件。本发明制备所得的氧化铜/二氧化锡复合膜气敏元件，可使该气敏元件大大提高对硫化氢气体的敏感性能和选择性能。本发明方法能提供一种制造工艺简便，价格低廉的检测硫化氢的半导体传感器气敏元件。
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