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公开(公告)号:CN117878259A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202311796857.4
申请日:2023-12-25
IPC: H01M4/1397 , H01M4/66 , H01M4/58 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开一种无负极纳离子电池负极集流体的制备方法,包括将商业化铜箔进行简单预处理,利用稀酸溶液进行酸洗,然后分别用去离子水和无水乙醇依次进行超声清洗,真空干燥,在已配好的NaOH溶液中,水浴反应,将得到的中间产物分别用无水乙醇和去离子水进行清洗,真空干燥,铺一层硫粉,再真空干燥,硫化处理,在铜箔上就得到了CuS,最后将其在氮气气氛下的管式炉内低温煅烧,除去多余的硫杂质,得到铜箔上原位负载的硫化铜纳米片,直接作为无负极钠离子电池负极集流体。
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公开(公告)号:CN117823727A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410015600.9
申请日:2024-01-04
Abstract: 本申请公开了一种耐腐蚀蠕动泵管及用于化学气相沉积炉的蠕动泵,所述蠕动甭管,包括泵管本体,所述泵管本体为双层软管,所述双层软管的内层材质是弹性耐腐蚀树脂;所述蠕动泵管的泵管内层采用耐腐蚀材料,能够抵抗MTS等腐蚀性化学品的侵蚀,有效避免泵管的腐蚀泄漏,泵管外层则对泵管内层提供额外的机械强度和保护,不仅提高了泵管对MTS等腐蚀性化学品的耐腐蚀性,还能在泵管内层破裂时防止化学品泄漏到环境中,进一步降低化学品泄漏风险;本公开的蠕动泵采用了所述耐腐蚀泵管,有效解决由MTS腐蚀引起的安全、环保等问题,为CVD‑SiC制备提供可靠和环保的MTS输送方案。
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公开(公告)号:CN117888090A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202311839197.3
申请日:2023-12-28
IPC: C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/02 , C23C16/34 , B05D7/22 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开一种减少杂质的高纯石墨坩埚制备方法,主要通过在现有免烧结喷涂SiC/Si3N4复合涂层坩埚基础上增加了短时低温的PECVD工序,在疏松的氮化硅外层表面制备出一层薄且致密的膜,在保证良好隔温与脱模效果的前提下,有效减少疏松喷涂氮化硅外层颗粒的脱落对硅晶铸锭的影响,提高了产品良率。
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公开(公告)号:CN117888081A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202311839201.6
申请日:2023-12-28
Abstract: 本发明公开一种连续式制备碳化硅纳米线增强碳化硅涂层的方法,旨在基于化学气相沉积的方法,对制备碳化硅纳米线增韧碳化硅涂层的方法进行改进,在减少工艺步骤的条件下,制备出理想的碳化硅涂层。
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