一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115642197A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202211379413.6

    申请日:2022-11-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法,所述异质结依次由单晶p‑Si衬底、本征Ga2O3薄膜和n型Ga2O3薄膜叠加而成,分别在p‑Si衬底和n型Ga2O3薄膜上生长欧姆接触电极制备日盲紫外探测器。本发明采用插入高阻本征层的方法来改善日盲紫外探测器的性能,相比于传统的pn结器件结构,PIN型探测器具有更小的暗电流以及更高的信噪比。此外,本发明以Si为p型层制备PIN型日盲紫外探测器,与其它探测器相比具有低成本,易集成的优势,在导弹追踪、无线通信、火焰探测、臭氧层空洞监测、电弧检测等军事和民用领域具有重要意义和应用前景。

Patent Agency Ranking