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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113151901B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110307620.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
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公开(公告)号：CN113151901A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110307620.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
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公开(公告)号：CN112216749A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011093122.1
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有高阻钝化层的碲锌镉(CZT)晶体探测器及其制备方法，所述CZT单晶的结构为高阻钝化层‑半导体‑高阻钝化层的三明治结构；在制备中，选取纯度为99.99999％的高纯Cd、Zn、Te材料作为垂直布里奇曼法生长CZT晶体的原料，获得晶体后切片、划片获得所需衬底，经抛光和腐蚀后采用射频磁控溅射沉积方法在样品上生长高阻钝化层；经过光刻和等离子体刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在单晶上沉积Au电极。本发明是一种有效的钝化CZT表面的方法，高阻钝化层能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶体表面电阻率，最终提高探测器的电学性能和后续器件制成的稳定性和寿命。
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公开(公告)号：CN109461668A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN109461668B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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