公开(公告)号：CN101994099B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200910194445.7

申请日：2009-08-17

Applicant: 上海宏力半导体制造有限公司

Inventor： 牟善勇 ,  田守卫 ,  姜国伟 ,  熊辉 ,  刘玮 ,  解毅

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/513

Abstract: 一种掺氟的氧化硅薄膜的形成方法，包括：提供化学气相沉积设备，对化学气相沉积设备的反应腔室执行清洁步骤；在所述反应腔室表面形成覆盖层，所述覆盖层在腔室不同的位置厚度不同，所述覆盖层的厚度与氟离子在反应腔室不同的位置减薄覆盖层的速率对应；提供衬底，在所述形成有覆盖层的腔室内，在衬底表面形成掺氟的氧化硅薄膜。本发明能够降低掺氟的氧化硅薄膜表面的缺陷数量，并且能够提高形成掺氟的氧化硅薄膜工艺的效率。

公开(公告)号：CN102915948A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210398971.7

申请日：2012-10-19

Applicant: 上海宏力半导体制造有限公司

Inventor： 赵学法 ,  石强 ,  田守卫 ,  李志国 ,  孙洪福

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内以及衬底表面沉积介质层，所述介质层填充满隔离沟槽并覆盖隔离沟槽两侧的衬底；对所述介质层进行回刻；对回刻后的介质层进行平坦化，至暴露出衬底，形成浅沟槽隔离结构。本发明浅沟槽隔离结构的形成方法改善了所形成浅沟槽隔离结构表面的平整度，提高所形成浅沟槽隔离结构的隔离性能，进而提高包括所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN102608411A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210061074.7

申请日：2012-03-09

Applicant: 上海宏力半导体制造有限公司

Inventor： 田守卫 ,  孙洪福 ,  费孝爱 ,  林爱兰

IPC: G01R21/02

Abstract: 本发明涉及一种射频功率的检测方法，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。本发明采用特定工艺条件下热氧化厚度与射频功率的关系，通过获取热氧化厚度后推导出射频功率，方法简单，不需要停机，检测结果较精确。

公开(公告)号：CN101994099A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910194445.7

申请日：2009-08-17

Applicant: 上海宏力半导体制造有限公司

Inventor： 牟善勇 ,  田守卫 ,  姜国伟 ,  熊辉 ,  刘玮 ,  解毅

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/513

Abstract: 一种掺氟的氧化硅薄膜的形成方法，包括：提供化学气相沉积设备，对化学气相沉积设备的反应腔室执行清洁步骤；在所述反应腔室表面形成覆盖层，所述覆盖层在腔室不同的位置厚度不同，所述覆盖层的厚度与氟离子在反应腔室不同的位置减薄覆盖层的速率对应；提供衬底，在所述形成有覆盖层的腔室内，在衬底表面形成掺氟的氧化硅薄膜。本发明能够降低掺氟的氧化硅薄膜表面的缺陷数量，并且能够提高形成掺氟的氧化硅薄膜工艺的效率。