公开(公告)号：CN104233433A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410522930.3

申请日：2014-10-03

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 方亚林 ,  言智 ,  孙明轩 ,  王莹 ,  邓卫之

IPC: C25D11/34

Abstract: 本发明公开了一种制备氧化亚铜薄膜的方法，其包括如下步骤：先以清洁处理后的铜片为阳极、铂片为阴极、0.1～0.5mol/L的氢氧化钠水溶液为电解质，在直流电压为8～10V、直流电流为0.5～1.0A电解条件下进行电解反应1～3分钟；再以0.01～0.05mol/L的氢氧化钠水溶液为电解质，在直流电压为2～5V、直流电流为0.01～0.05A电解条件下进行电解反应40～120分钟；最后进行退火处理。本发明方法具有操作简单、易于控制、适合大面积生产等优点，且可实现氧化亚铜薄膜结构和厚度的可控生长，所制备的氧化亚铜薄膜具有晶粒尺寸为100～150nm的纳米晶结构，有利于提高太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN104233433B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410522930.3

申请日：2014-10-03

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 方亚林 ,  言智 ,  孙明轩 ,  王莹 ,  邓卫之

IPC: C25D11/34

Abstract: 本发明公开了一种制备氧化亚铜薄膜的方法，其包括如下步骤：先以清洁处理后的铜片为阳极、铂片为阴极、0.1～0.5mol/L的氢氧化钠水溶液为电解质，在直流电压为8～10V、直流电流为0.5～1.0A电解条件下进行电解反应1～3分钟；再以0.01～0.05mol/L的氢氧化钠水溶液为电解质，在直流电压为2～5V、直流电流为0.01～0.05A电解条件下进行电解反应40～120分钟；最后进行退火处理。本发明方法具有操作简单、易于控制、适合大面积生产等优点，且可实现氧化亚铜薄膜结构和厚度的可控生长，所制备的氧化亚铜薄膜具有晶粒尺寸为100～150nm的纳米晶结构，有利于提高太阳电池的光电转换效率。