等离子体显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1237271A

    公开(公告)日:1999-12-01

    申请号:CN98801199.9

    申请日:1998-08-27

    CPC classification number: H01J9/242 H01J11/12 H01J11/36 H01J2211/363

    Abstract: 提供一种防止隔板边缘起翘、隆起、边缘处没有误放电的等离子体显示器。进一步地,提供一种整个面具有均匀发光特性的等离子体显示器。本发明的等离子体显示器可以用于大型的电视和计算机监视器。本发明的等离子体显示器是一种在基板上形成电介体层和条纹状隔板的等离子体显示器,其特征在于,该隔板的长度方向边缘具有倾斜部,且该倾斜的高度(Y)和该倾斜部的底边长度(X)处于0.5≤Y/Y≤100的范围内。另外,本发明的等离子体显示器的制造方法,其特征在于,经过用由无机材料和有机材料制成的隔板用膏体在基板上形成边缘具有倾斜部的条纹状隔板图案的工序和将该隔板进行焙烧的工序,形成上述条纹状隔板。

    半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN113169248B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201980078538.5

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明的目的在于提供无需复杂的装置、能够利用简便的方法制造具有选择性发射极结构的太阳能电池、杂质浓度的面内均匀性优异的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。用于达到上述目的的本发明为一种半导体元件的制造方法,该制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域,其中,至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括:将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序;和将其加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序的方法形成,杂质扩散组合物(a)包含(a‑1)具有特定结构的硅烷化合物的聚合物和(a‑2)杂质扩散成分。

    半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN113169248A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980078538.5

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明的目的在于提供无需复杂的装置、能够利用简便的方法制造具有选择性发射极结构的太阳能电池、杂质浓度的面内均匀性优异的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。用于达到上述目的的本发明为一种半导体元件的制造方法,该制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域,其中,至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括:将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序;和将其加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序的方法形成,杂质扩散组合物(a)包含(a‑1)具有特定结构的硅烷化合物的聚合物和(a‑2)杂质扩散成分。

    等离子体显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1157747C

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN98801199.9

    申请日:1998-08-27

    CPC classification number: H01J9/242 H01J11/12 H01J11/36 H01J2211/363

    Abstract: 提供一种防止隔板边缘起翘、隆起、边缘处没有误放电的等离子体显示器。进一步地,提供一种整个面具有均匀发光特性的等离子体显示器。本发明的等离子体显示器可以用于大型的电视和计算机监视器。本发明的等离子体显示器是一种在基板上形成电介体层和条纹状隔板的等离子体显示器,其特征在于,该隔板的长度方向边缘具有倾斜部,且该倾斜的高度(Y)和该倾斜部的底边长度(X)处于0.5≤X/Y≤80的范围内。另外,本发明的等离子体显示器的制造方法,其特征在于,经过用由无机材料和有机材料制成的隔板用膏体在基板上形成边缘具有倾斜部的条纹状隔板图案的工序和将该隔板进行焙烧的工序,形成上述条纹状隔板。

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