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公开(公告)号：CN119581361A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411189933.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开说明一种能够抑制通过处理液处理后的基板的处理品质的偏差的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备处理槽、构成为向处理槽供给第一药液和第二药液的供给部、冷却部、浓度测定部、温度测定部、以及控制部。控制部构成为执行以下处理：第一处理，基于由浓度测定部测定出的处理液的浓度、由温度测定部测定出的处理液的温度、以及预先获取到的校正数据，来计算处理液的校正浓度；第二处理，基于校正浓度，来计算第一药液和第二药液的补充量；以及第三处理，基于补充量，来控制供给部以向处理槽供给第一药液和第二药液。
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公开(公告)号：CN111415883A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911375970.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。本发明对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到基片的附着量是有效的。
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公开(公告)号：CN110556294A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910470720.7
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。
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公开(公告)号：CN117476498A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310888446.1
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
Abstract: 本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，在将基板浸渍在产生混合热的混合液中的情况下，对基板高效地进行处理。基板处理装置具备：处理槽，其贮存用于对基板进行处理的处理液；循环路，其用于将所述处理液从所述处理槽取出并使其返回到所述处理槽；基板保持部，其用于保持所述基板；升降部，其用于使所述基板保持部在所述处理槽的内部的浸渍位置与比所述处理槽靠上方的待机位置之间进行升降；以及控制部，其控制所述升降部。所述处理液是将第一成分与第二成分混合而成的混合液，且是产生混合热的混合液。所述控制部进行以下控制：在所述混合液的温度由于所述混合热而上升达到峰值温度之前使所述基板浸渍在所述混合液中。
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公开(公告)号：CN108155115B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201711247114.6
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种减少对基板的处理的不均的基板液处理装置和基板液处理方法。实施方式所涉及的基板液处理装置具备载置部、液处理部、搬送部以及旋转部。载置部载置从外部搬入的基板。液处理部通过使基板以基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中来对基板进行处理。搬送部在载置部与液处理部之间搬送基板。旋转部使利用液处理部进行了第一处理的基板以与基板的板面垂直的轴为中心进行旋转，使基板旋转为与进行第一处理时的朝向不同的朝向。另外，搬送部将利用液处理部进行了第一处理的基板从液处理部搬送到旋转部，将通过旋转部来进行了旋转的基板从旋转部搬送到液处理部。另外，液处理使通过旋转部来进行了旋转的基板浸在处理液中来进行第二处理。
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公开(公告)号：CN115799108A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211079795.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
Abstract: 本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够与处理张数无关地抑制在基板附着微粒。本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，基板浸在该处理液中；干燥槽，其配置于所述处理槽的上方，用于使所述基板干燥；气体供给部，其向所述干燥槽供给包含非活性气体和有机溶剂的蒸汽的混合气体；以及控制部，其控制所述气体供给部，其中，所述控制部将所述有机溶剂在向所述干燥槽供给的所述混合气体中所占的蒸气浓度维持为固定，并根据所述基板的状态来变更所述非活性气体的供给流量和所述有机溶剂的供给流量。
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公开(公告)号：CN119786375A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411339201.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 百武宏展
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开说明一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备处理槽、获取实际体积的获取部、超纯水供给部、药液供给部、以及控制部。控制部执行以下处理：第一处理，基于规定了与实际体积相应的超纯水和药液的供给流量的供给数据、以及由获取部获取到的实际体积，来设定向处理槽供给的超纯水和药液的供给流量；第二处理，根据所设定的供给流量，对预先充满超纯水的状态下的处理槽分别供给超纯水和药液，直到处理槽内的混合液的浓度成为规定的值为止；第三处理，在混合液的浓度达到规定的值后停止超纯水和药液的供给；以及第四处理，在从超纯水和药液的供给停止起经过了规定时间后，将处理槽内的混合液置换为超纯水。
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公开(公告)号：CN118762990A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410684647.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：第一蚀刻工序，通过蚀刻液来蚀刻高层叠有氧化硅膜和氮化硅膜的基板中的氮化硅膜的一部分；加工工序，在第一蚀刻工序之后，通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工，来蚀刻氧化硅膜的前端部或在第一蚀刻工序中在氧化硅膜上形成的硅氧化物；以及第二蚀刻工序，在加工工序之后，通过蚀刻液来蚀刻基板中的氮化硅膜中的、在第一蚀刻工序中未蚀刻的部分，图案形状加工液对于氮化硅膜没有蚀刻能力或者蚀刻能力低，图案形状加工液是磷酸浓度高的磷酸处理液，实施第一蚀刻工序直至由氧化硅膜形成的图案的前端部露出为止，加工工序对露出的前端部进行加工。
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公开(公告)号：CN118231325A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410274298.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN111180330B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201911089883.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。
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