基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN107104065B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201710087455.5

    申请日:2017-02-17

    Abstract: 本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时,能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单元(10A~10D)排气时,测定每个抗蚀剂涂敷单元(10A~10D)的独立排气管(50A~50D)的排气压力与共用排气通路(60)的排气压力,比较各测定值与对应的容许压力范围。因此,能够可靠地检测出独立排气管(50A~50D)中的附着物的堵塞等的异常。

    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

    公开(公告)号:CN111684569A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980012129.5

    申请日:2019-02-04

    Abstract: 涂布/显影装置(2)具备:去除液供给部(50),其具有用于向晶圆(W)的周缘部喷出去除液的去除液喷嘴(52);驱动部(60),其使包括去除液喷嘴(52)的移动体(51)移动;传感器(70),其检测与移动体(51)的位置有关的信息;以及控制部(100),其构成为执行以下控制:向驱动部(60)输出用于使移动体(51)从将去除液喷嘴(52)配置于晶圆(W)的周缘(Wc)外的第一位置(P1)移动至将去除液喷嘴(52)配置于晶圆(W)的周缘部上的第二位置(P2)的控制指令;以及基于在移动体(51)从第一位置(P1)向第二位置(P2)移动的中途由传感器(70)检测出的信息同控制指令的关系来校正控制指令,以使移动体(51)的移动完成位置与第二位置(P2)的偏差缩小。

    涂布膜形成装置和涂布膜形成方法

    公开(公告)号:CN100594427C

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200610126011.X

    申请日:2006-08-30

    CPC classification number: H01L21/67051 G03F7/162 H01L21/6715

    Abstract: 本发明涉及一种涂布膜形成装置,其具有:处理罩,具有用于进行基板的出入,在上方开放的开口部,用于排出在基板上形成涂布膜时产生的不需要的气氛的排气口,用于吸引外部气体的吸引口;和从排气口吸引不需要的气氛的吸引装置。被收容在处理罩的开口部中的基板的周缘部和开口部配置为具有规定的间隙,在被收容在处理罩中的基板的下方形成从吸引口至排气口的排气流路。

    基片处理装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108695212B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201810319692.4

    申请日:2018-04-11

    Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。该基片处理装置的液处理单元(U1)包括:保持晶片(W)的旋转卡盘(61);使旋转卡盘(61)旋转的旋转驱动部(64);对由旋转驱动部(64)的驱动而旋转的旋转卡盘(61)所保持的晶片(W)供给涂敷液的涂敷液供给喷嘴(62);回收从晶片(W)的与被供给涂敷液的面(表面(W1))相反一侧的面即背面(W2)落下的涂敷液的杯体基座(65);和配置在背面(W2)与杯体基座(65)之间,用于收集由于对旋转的晶片W供给涂敷液而产生的线状物的收集板(30)。由此,能够抑制在对旋转的基片供给处理液时产生的线状物堆积在回收部。

    基片处理装置
    5.
    发明公开
    基片处理装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN112346303A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202010736750.0

    申请日:2020-07-28

    Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括:遮罩部件,其配置成包围由旋转保持部保持的基片的周围;收集部件,其配置于遮罩部件与旋转保持部之间的排气路径;和溶剂供给部,其配置在收集部件的上方,构成为能够对收集部件供给溶剂。溶剂供给部包括:内侧贮存室,其构成为当从上方观察时包围基片的周围;外侧贮存室,其构成为当从上方观察时包围内侧贮存室的周围;和分隔壁,其以划分出内侧贮存室和外侧贮存室的方式沿周向延伸。多个连通孔以被导入到外侧贮存室的溶剂能够向内侧贮存室流通的方式贯通分隔壁地形成。多个滴落孔以内侧贮存室内的溶剂能够向收集部件滴落的方式贯通内侧贮存室的底壁地形成。本发明能够有效地除去棉状块。

    涂布膜形成装置和涂布膜形成方法

    公开(公告)号:CN1924704A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200610126011.X

    申请日:2006-08-30

    CPC classification number: H01L21/67051 G03F7/162 H01L21/6715

    Abstract: 本发明涉及一种涂布膜形成装置,其具有:处理罩,具有用于进行基板的出入,在上方开放的开口部,用于排出在基板上形成涂布膜时产生的不需要的气氛的排气口,用于吸引外部气体的吸引口;和从排气口吸引不需要的气氛的吸引装置。被收容在处理罩的开口部中的基板的周缘部和开口部配置为具有规定的间隙,在被收容在处理罩中的基板的下方形成从吸引口至排气口的排气流路。

    基板处理装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1625797A

    公开(公告)日:2005-06-08

    申请号:CN02828830.0

    申请日:2002-12-27

    CPC classification number: H01L21/67051 G03F7/162 G03F7/3021

    Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置,防止处理液供应喷嘴的位置偏离,可顺利地进行处理液供应喷嘴的输送,并且提高处理液供应喷嘴的位置精度,实现处理精度以及成品率的提高。在具备:可旋转地保持晶片(W)的旋转卡盘(50),向晶片(W)的表面上供应处理液的多个处理液供应喷嘴(60),将各喷嘴(60)保持在待机位置的待机保持机构(70),以及可装卸地把持由待机保持机构(70)保持的喷嘴(60)的任意一个、向晶片(W)的上方输送的喷嘴输送臂(80)的基板处理装置中,沿着连接旋转卡盘(50)的旋转中心(C)和以适当的间隔设置在待机保持机构(70)上的喷嘴保持用开口部(71)的直线(L)设置各喷嘴(60),并且沿着直线(L)的延长线配设连接各喷嘴(60)和处理液供应源的、具有挠性的供应软管(61)。

    容器
    10.
    发明公开
    容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117178347A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280029628.7

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明提供在使用处理液对基片进行处理时,能够减轻处理的工夫和处理所附带的作业的工夫的技术。容器构成为,包括:贮存空间形成部(20),其在内部形成有贮存用于对基片进行处理的处理液的贮存空间(59);设置在上述贮存空间形成部的上述处理液的释放口(25);和脆弱部(47),其为了形成使进入部进入上述贮存空间形成部的内部的进入路径,以能够在该进入部的按压下而裂开的方式设置在该贮存空间形成部,其中,上述进入部能够对上述贮存空间进行加压以使得从上述释放口释放上述处理液。

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