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公开(公告)号:CN101649451B
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200910187309.5
申请日:2009-09-10
Applicant: 东北大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜,属于超导材料技术领域。将乙酸锶、乙酸镧和乙酸钴三种盐分步溶解到丙酸中,加入乙酰丙酮,制得前驱液;用匀胶机将前驱液涂覆在双轴织构NiW基带上;然后进行热解处理,再次进行涂覆和热解处理;进行结晶反应。本发明制备的LSCO膜厚度为500~700nm,阻隔了Ni元素向YBCO层的扩散过程,同时也很好的阻止了NiW基底的氧化;经四引线法测定薄膜的电阻率在液氮温区可以达到1.1×10-4Ω·m。与传统工艺相比,本发明简化了缓冲层的数量,从而降低了YBCO/buffer/NiW复合材料的制备过程和制造成本。
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公开(公告)号:CN101649451A
公开(公告)日:2010-02-17
申请号:CN200910187309.5
申请日:2009-09-10
Applicant: 东北大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种MOD法在双轴织构NiW合金上制备镧锶钴氧导电薄膜,属于超导材料技术领域。将乙酸锶、乙酸镧和乙酸钴三种盐分步溶解到丙酸中,加入乙酰丙酮,制得前驱液;用匀胶机将前驱液涂覆在双轴织构NiW基带上;然后进行热解处理,再次进行涂覆和热解处理;进行结晶反应。本发明制备的LSCO膜厚度为500~700nm,阻隔了Ni元素向YBCO层的扩散过程,同时也很好的阻止了NiW基底的氧化;经四引线法测定薄膜的电阻率在液氮温区可以达到1.1×10 -4 Ω·m。与传统工艺相比,本发明简化了缓冲层的数量,从而降低了YBCO/buffer/NiW复合材料的制备过程和制造成本。
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公开(公告)号:CN103352212A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310285145.6
申请日:2013-07-09
Applicant: 东北大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 一种乙醇为溶剂低氟MOD法制备YBCO膜的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)将乙酸钇和三氟乙酸钡溶于水中制成钇钡溶液,煮沸浓缩;(2)加入乙醇然后煮沸浓度;(3)重复步骤(2)的操作4~6次,制成钇钡乙醇溶液;(4)将异辛酸铜溶于乙醇中,制成铜乙醇溶液;(5)将铜乙醇溶液与钇钡乙醇溶液混合、过滤,再加热浓缩制成前驱溶液;(6)将前驱溶液旋涂在基片上,然后进行热解和晶化。本发明的方法具有环境污染小,生产效率高等优点,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103236319A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310146978.4
申请日:2013-04-25
Applicant: 东北大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明属于超导材料技术领域,具体涉及一种NiW合金基底上的立方织构Ce1-σGdσO2薄膜及其制备方法。本发明的Ce1-σGdσO2薄膜是生长在立方织构的Ni-5%W合金基底上的Ce1-σGdσO2薄膜,厚度为200-500nm,具有(200)择优取向和面心立方晶体结构,织构为{100} ,其中0.1≤σ≤0.2,其制备方法是将(CH3CO2)3Ce(III)和GdN3O9溶解于C2H5COOH中得到Ce1-σGdσO2前驱液,将前驱液旋涂在Ni-5%W合金基底上,再将旋涂后的基片送入炉管热处理。本发明的CGO缓冲层具有面心立方晶体结构,YBCO的a、b轴晶格常数与CGO(001)面的半对角线长度接近相等,YBCO(00l)面和CGO(00l)面通过面内相对旋转45°后,可以形成良好的晶格匹配,能够实现YBCO超导膜的外延生长,对于改善化学法制备超导带材的超导性能具有重大意义。
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公开(公告)号:CN103352212B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310285145.6
申请日:2013-07-09
Applicant: 东北大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 一种乙醇为溶剂低氟MOD法制备YBCO膜的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)将乙酸钇和三氟乙酸钡溶于水中制成钇钡溶液,煮沸浓缩;(2)加入乙醇然后煮沸浓度;(3)重复步骤(2)的操作4~6次,制成钇钡乙醇溶液;(4)将异辛酸铜溶于乙醇中,制成铜乙醇溶液;(5)将铜乙醇溶液与钇钡乙醇溶液混合、过滤,再加热浓缩制成前驱溶液;(6)将前驱溶液旋涂在基片上,然后进行热解和晶化。本发明的方法具有环境污染小,生产效率高等优点,具有良好的应用前景。
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