公开(公告)号：CN113363332B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110465661.1

申请日：2021-04-28

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 丁毓喆 ,  张笑毓 ,  张响 ,  史思露 ,  林必堉 ,  王晓强 ,  李明亚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法，本发明采用溶胶凝胶法结合旋涂法，采用以Ni为代表的过渡族元素对CZTS进行单掺杂，制备高质量、高性能的过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜。本发明通过改进工艺参数，调控以Ni为代表的过渡族元素掺杂浓度可实现CZTS薄膜能带结构可控、光电综合性能可控。在保证了薄膜高致密度、高均匀度的基础上，实现了低成本制备能带结构可控、性能可控的CZTS薄膜。

公开(公告)号：CN113363332A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110465661.1

申请日：2021-04-28

Applicant: 东北大学秦皇岛分校

Inventor： 丁毓喆 ,  张笑毓 ,  张响 ,  史思露 ,  林必堉 ,  王晓强 ,  李明亚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法，本发明采用溶胶凝胶法结合旋涂法，采用以Ni为代表的过渡族元素对CZTS进行单掺杂，制备高质量、高性能的过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜。本发明通过改进工艺参数，调控以Ni为代表的过渡族元素掺杂浓度可实现CZTS薄膜能带结构可控、光电综合性能可控。在保证了薄膜高致密度、高均匀度的基础上，实现了低成本制备能带结构可控、性能可控的CZTS薄膜。