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公开(公告)号:CN101690889B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910072939.8
申请日:2009-09-21
Applicant: 东北林业大学
IPC: B01J23/08 , B01J37/00 , B01J35/02 , A62D3/10 , A62D101/20
Abstract: 一种形貌厚度可控的氢氧化铟薄膜催化材料的制备方法,它涉及一种催化材料的制备方法。本发明解决了现有的用于光催化氧化技术的半导体材料TiO2的制作方法复杂、制作得到半导体材料TiO2催化效率低及使用粉体的半导体材料容易造成二次污染的问题。方法:将尿素、硝酸铟和水均匀混合置于反应器中,然后将玻璃板放入反应器中,再将反应器放入油浴锅回流反应即实现了氢氧化铟薄膜催化材料的制备。本发明的方法简单,本发明方法制作得到的氢氧化铟薄膜催化效率高,本发明制作的氢氧化铟薄膜在使用过程中不产生二次污染,本发明制作得到的氢氧化铟薄膜应用范围广泛。
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公开(公告)号:CN101690889A
公开(公告)日:2010-04-07
申请号:CN200910072939.8
申请日:2009-09-21
Applicant: 东北林业大学
IPC: B01J23/08 , B01J37/00 , B01J35/02 , A62D3/10 , A62D101/20
Abstract: 一种形貌厚度可控的氢氧化铟薄膜催化材料的制备方法,它涉及一种催化材料的制备方法。本发明解决了现有的用于光催化氧化技术的半导体材料TiO2的制作方法复杂、制作得到半导体材料TiO2催化效率低及使用粉体的半导体材料容易造成二次污染的问题。方法:将尿素、硝酸铟和水均匀混合置于反应器中,然后将玻璃板放入反应器中,再将反应器放入油浴锅回流反应即实现了氢氧化铟薄膜催化材料的制备。本发明的作方法简单,本发明方法制作得到的氢氧化铟薄膜催化效率高,本发明制作的氢氧化铟薄膜在使用过程中不产生二次污染,本发明制作得到的氢氧化铟薄膜应用范围广泛。
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