利用分子印迹—基质固相分散技术分离喜树碱的方法

    公开(公告)号:CN102993209A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210540350.8

    申请日:2012-12-14

    Abstract: 利用分子印迹—基质固相分散技术分离喜树碱的方法,本发明涉及一种分离喜树碱的方法。本发明是要解决现有喜树碱分离提取技术存在选择性低、步骤复杂、有机溶剂消耗量大,基质固相分散技术的选择性低,包埋法制备分子印迹聚合物需要反复研磨,费时费力的问题。方法:一、得到混合粉末;二、将混合粉末移入注射器;三、淋洗;四、洗脱。本发明样品制备过程简单,减少了实验时间和溶剂使用量;应用分子印迹聚合物作为分离介质,提高了喜树碱提取分离的选择性效果;在制备分子印迹聚合物时采用表面印迹技术,把结合位点局限在具有良好可接近性的二氧化硅表面上,有利于模板分子的洗脱和再结合,条件易于控制,生产成本低。本发明用于分离喜树碱。

    利用分子印迹—基质固相分散技术分离喜树碱的方法

    公开(公告)号:CN102993209B

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201210540350.8

    申请日:2012-12-14

    Abstract: 利用分子印迹—基质固相分散技术分离喜树碱的方法,本发明涉及一种分离喜树碱的方法。本发明是要解决现有喜树碱分离提取技术存在选择性低、步骤复杂、有机溶剂消耗量大,基质固相分散技术的选择性低,包埋法制备分子印迹聚合物需要反复研磨,费时费力的问题。方法:一、得到混合粉末;二、将混合粉末移入注射器;三、淋洗;四、洗脱。本发明样品制备过程简单,减少了实验时间和溶剂使用量;应用分子印迹聚合物作为分离介质,提高了喜树碱提取分离的选择性效果;在制备分子印迹聚合物时采用表面印迹技术,把结合位点局限在具有良好可接近性的二氧化硅表面上,有利于模板分子的洗脱和再结合,条件易于控制,生产成本低。本发明用于分离喜树碱。

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