公开(公告)号：CN104177637A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410407341.0

申请日：2014-08-19

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 孙墨杰 ,  刘晓萌 ,  王冬 ,  周凯

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/02 ,  C08K7/08 ,  C08K5/405 ,  C08G73/02

Abstract: 本发明是一种具有汞气敏响应的硫掺杂聚苯胺和二氧化钛纳米线薄膜的制备方法，其特点是，它包括制备二氧化钛纳米线、聚苯胺在二氧化钛纳米线上的原位聚合和水热硫化步骤。既具有聚苯胺良好的导电性，又具有二氧化钛半导体传感效应，科学合理，应用价值高等优点。

公开(公告)号：CN104177637B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201410407341.0

申请日：2014-08-19

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 孙墨杰 ,  刘晓萌 ,  王冬 ,  周凯

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/02 ,  C08K7/08 ,  C08K5/405 ,  C08G73/02

Abstract: 本发明是一种具有汞气敏响应的硫掺杂聚苯胺和二氧化钛纳米线薄膜的制备方法，其特点是，它包括制备二氧化钛纳米线、聚苯胺在二氧化钛纳米线上的原位聚合和水热硫化步骤。既具有聚苯胺良好的导电性，又具有二氧化钛半导体传感效应，科学合理，应用价值高等优点。