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公开(公告)号：CN110357143B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201910155516.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2‑Ag2S，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的MoS2‑Ag2S电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2‑Ag2S。本发明取去离子水；称取硝酸银，钼酸铵，六次甲基四安，硫化钠；在搅拌状态下分别将称量的药品逐一溶解；在完全溶解后搅拌10 min，然后移入反应釜中，水热200℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测，使得检测下限可达0.001mg/m3。
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公开(公告)号：CN110028097B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910155264.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS‑SnO2，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的SnS‑SnO2电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS‑SnO2。本发明制备方法是：称取氯化亚锡，在搅拌条件下溶于去离子水中；然后分别将氢氧化钠、硫脲、氟化铵、P123,依次在搅拌条件下至完全溶解在去离子水溶液中；完全溶解后搅拌10 min,然后移入反应釜中，水热160℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测。
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公开(公告)号：CN102375017A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010248563.4
申请日：2010-08-05
Applicant: 东北电力大学
IPC: G01N27/42
Abstract: 本发明属于化学分析测试技术领域，是一种光电计数法碱度自动测量装置，其特点是：它包括在测量杯中置有水样进口管、pH电极和虹吸定位管，在水样进口管上固连有水样进口控制电磁阀，在虹吸定位管的外伸端套置第二光电检测计数器，酸液杯置于测量杯设定高度的上方，酸液杯的酸液出口与硅橡胶管、滴定管顺序固连，酸液杯的酸液出口至滴定管上固连有滴定电磁阀，在滴定管上套置第一光电检测计数器；在测量杯的底部通过管路固连有排废电磁阀。在测量杯的底部内侧设有磁力搅拌器，在测量杯的底部外侧设有磁力搅拌电机。能够实现连续24小时在线测量，测量过程中能够更加稳定地分析测量数据，具有性能优良、精度高，重现性好等优点。
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公开(公告)号：CN112067666B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010814250.4
申请日：2020-08-13
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种掺杂磷酸银的二氧化锡气体传感器气敏材料的制备方法，属于气体传感器技术领域。本发明的目的是通过在气体传感器SnO2材料中掺杂Ag3PO4，从而能够增加SnO2气体传感器灵敏度的掺杂磷酸银的二氧化锡气体传感器气敏材料的制备方法。本发明步骤是：制备对硫化氢感性的氧化锡前驱体溶液、对硫化氢感性的氧化锡前驱体溶液进行溶剂热反应、制备对硫化氢感性的氧化锡前驱体、制备对硫化氢感性的氧化锡、制备对硫化氢感性的磷酸银掺杂氧化锡材料。本发明的制备方法简单，价格低廉，该材料所制得的传感器对硫化氢的响应度和选择性远高于其他金属氧化物，在气体传感器领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109731549A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910141987.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 东北电力大学
IPC: B01J20/20 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/20
Abstract: 一种MoS2-PAN共混吸附膜，属于环境处理技术领域。本发明的目的是通过对MoS2共混改性，从而制备对Cu2+表现出良好吸附性能的MoS2-PAN共混吸附膜。本发明的制备步骤是：MoS2微球的制备；用MoS2微球改性PAN吸附膜的制备。本发明不仅制备过程简单、产量高、节能并且适合规模化生产。得到的MoS2通过共混改性对Cu2+表现出良好的吸附性能。膜材料本身具有较好的吸附性能，成本低，并且用途广泛，使得这种基于MoS2改性的PAN膜能用于对Cu2+的吸附。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108007976A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711090742.8
申请日：2017-11-08
Applicant: 东北电力大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种MoS2/石墨烯复合材料的制备及构建元素汞蒸气传感器，属于监测技术领域。本发明的目的是主要针对燃煤电厂排放烟气中气态单质汞能够在线实时快速监测的MoS2/石墨烯复合材料的制备及构建元素汞蒸气传感器。本发明先制备测定汞传感器的复合材料，再用此复合材料制备MoS2/石墨烯复合材料，最后制备MoS2/石墨烯复合材料构建的元素汞蒸气传感器。本发明的结构形貌良好，传感器的重复性和稳定性十分优良，具有良好的选择性。
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公开(公告)号：CN110357143A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910155516.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2-Ag2S，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的MoS2-Ag2S电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2-Ag2S。本发明取去离子水；称取硝酸银，钼酸铵，六次甲基四安，硫化钠；在搅拌状态下分别将称量的药品逐一溶解；在完全溶解后搅拌10 min，然后移入反应釜中，水热200℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测，使得检测下限可达0.001mg/m3。
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公开(公告)号：CN112067666A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010814250.4
申请日：2020-08-13
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种掺杂磷酸银的二氧化锡气体传感器气敏材料的制备方法，属于气体传感器技术领域。本发明的目的是通过在气体传感器SnO2材料中掺杂Ag3PO4，从而能够增加SnO2气体传感器灵敏度的掺杂磷酸银的二氧化锡气体传感器气敏材料的制备方法。本发明步骤是：制备对硫化氢感性的氧化锡前驱体溶液、对硫化氢感性的氧化锡前驱体溶液进行溶剂热反应、制备对硫化氢感性的氧化锡前驱体、制备对硫化氢感性的氧化锡、制备对硫化氢感性的磷酸银掺杂氧化锡材料。本发明的制备方法简单，价格低廉，该材料所制得的传感器对硫化氢的响应度和选择性远高于其他金属氧化物，在气体传感器领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110028097A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910155264.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 东北电力大学
Abstract: 一种用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS-SnO2，属于半导体传感器技术领域。本发明的目的是以硫化物半导体为模板的SnS-SnO2电阻型传感器用于检测Hg(0)的用于Hg(0)传感器的敏感材料SnS-SnO2。本发明制备方法是：称取氯化亚锡，在搅拌条件下溶于去离子水中；然后分别将氢氧化钠、硫脲、氟化铵、P123,依次在搅拌条件下至完全溶解在去离子水溶液中；完全溶解后搅拌10 min,然后移入反应釜中，水热160℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃。本发明对Hg(0)有良好的气敏性能。最终能对Hg(0)的含量进行检测。
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公开(公告)号：CN105923633B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610252828.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 东北电力大学
IPC: C01B32/324 , C01B32/342
Abstract: 一种用稻草制备活性炭过程中降低灰分含量的方法，属于活性炭的制备领域。本发明的目的是以稻草为原料，用磷酸为活化剂制备活性炭，并能够大幅度降低灰分含量的用稻草制备活性炭过程中降低灰分含量的方法。本发明截取通过60目筛孔而不能通过80目筛孔的稻草粉末；在高压反应釜中以温度260‑300℃条件下，反应1‑2小时，冷却后以3000转/分钟的转速离心分离3分钟，得滤液和滤渣；再放入马弗炉，500℃时活化反应1小时，即制备出灰分含量3.2‑8.5%的活性炭。本发明工艺简单，通过对工艺条件的调整，能够极大的降低活性炭中灰分的含量，从而提高活性炭的质量。
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